Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2024, выпуск 12 » Статья стр. 1957
>>>
Расчет термоупругих напряжений в ленточных кристаллах оксида галлия, выращиваемых из расплава методом Степанова в различных кристаллографических ориентациях
Крымов В.М. 1, Галактионов Е.В. 1, Бахолдин С.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: V.Krymov@mail.ioffe.ru, evgalakt@mail.ru, s.bakholdin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 22 мая 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 6 декабря 2024 г.
PDF версия
Проведено исследование влияния анизотропии на распределение термоупругих напряжений в тонких кристаллических пластинах оксида галлия. Приведены приближенные формулы для компонент тензора напряжений, полученные с помощью асимптотического интегрирования уравнений термоупругости с учетом прямолинейной анизотропии общего вида. Проведено сравнение величин напряжений для двух направлений выращивания. Показано, что выбор ориентации направления выращивания позволил управлять величиной и распределением термоупругих напряжений, возникающих в кристаллах оксида галлия при их выращивании из расплава. Ключевые слова: термоупругие напряжения, асимптотический метод, анизотропия тепловых и упругих свойств.
  1. S.J. Pearton, J. Yang, P.H. Cary IV, F. Ren, J. Kim, M.J. Tadjer, M.A. Mastro. Appl. Phys. Rev., 5, 011301 (2018). DOI: 10.1063/1.5006941
  2. S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov. Rev. Adv. Mater. Sci., 44, 63 (2016)
  3. J.D. Blevins, K. Stevens, A. Lindsey, G. Foundos, L. Sande. IEEE T S M, 32 (4), 466 (2019). DOI: 10.1109/TSM.2019.2944526
  4. A.V. Stepanov. Tech. Phys., 29, 382 (1959)
  5. H.E. LaBelle, A.I. Mlavsky. Mater. Res. Bull., 6, 571 (1971)
  6. M.A. Mastro, A. Kuramata, J. Calkins, J. Kim, F. Ren, S. Pearton. ECS J. Solid State Sci. Technol., 6, 356 (2017). DOI: 10.1149/2.0031707jss
  7. K. Shimamura, E.G. Villora, K. Matsumura, K. Aoki, M. Nakamura, S. Takekawa, N. Ichinose, K. Kitamura. Nihon Kessho Seicho Gakkaishi, 33, 147 (2006)
  8. H. Aida, K. Nishiguchi, H. Takeda, N. Aota, K. Sunakawa, Y. Yaguchi. Jpn. J. Appl. Phys., 47 (11), 8506 (2008). DOI: 10.1143/JJAP.47.8506
  9. A. Kuramata, K. Koshi, S. Watanabe, Y. Yamaoka, T. Masui, S. Yamakoshi. Jpn. J. Appl. Phys., 55, 1202A2 (2016). DOI: 10.7567/JJAP.55.1202A2
  10. H. Tang, N. He, H. Zhang, B. Liu, Z. Zhu, M. Xu, L. Chen, J. Liu, X. Ouyang, J. Xu. Cryst. Eng. Comm., 22, 924 (2020). DOI: 10.1039/C9CE01294J
  11. Y. Bu, J. Wei, Q. Sai, H. Qi. Cryst. Eng. Comm., 25, 3556 (2023). DOI: 10.1039/d3ce00249g
  12. C. Le, Z. Li, W. Mu, Z. Jia, L. Liu. J. Crystal Growth, 83, 506 (2019). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.10.029
  13. W. Jeong, S. Choi, S. Lim, Y. Shin, S. Bae, J. Kang, W. Lee, S. Kwon, S. Jeong. Crystals, 13, 1591 (2023). DOI: 10.3390/cryst13111591
  14. P.I. Antonov, S.I. Bakholdin, E.V. Galaktionov, E.A. Tropp, S.P. Nikanorov. J. Crystal Growth, 52 (1), 404 (1981)
  15. П.И. Антонов, С.И. Бахолдин, И.Ю. Вандакуров, Е.В. Галактионов, Э.А. Тропп. Изв. АН СССР, сер физич., 47 (2), 286 (1983)
  16. С.И. Бахолдин, Е.В. Галактионов, В.М. Крымов. ЖТФ, 93 (12), 1708 (2023). DOI: 10.61011/JTF.2023.12.56800.f249-23
  17. П.И. Антонов, С.И. Бахолдин, Е.В. Галактионов, Э.А. Тропп. Изв. АН СССР, сер физич., 44 (2), 255 (1980)
  18. W. Miller, K. Bottcher, Z. Galazka, J. Schreuer. Crystals, 7 (1), 26 (2017). DOI: 10.3390/ cryst7010026
  19. И.Е. Зино, Э.А. Тропп. Асимптотические метолы в задачах теории теплопроводности и термоупругости (ЛГУ, Л., 1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme