Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Анализ спектральной зависимости коэффициента пропускания системы пленка диоксида титана-стеклянная подложка
1Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия 
2Институт углехимии и химического материаловедения СО РАН, Кемерово, Россия
2Институт углехимии и химического материаловедения СО РАН, Кемерово, Россия
Email: avkhaneft@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 июня 2024 г.
В окончательной редакции: 23 сентября 2024 г.
Принята к печати: 16 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 6 января 2025 г.
Получены слабопоглощающие пленки диоксида титана (фаза анатаз) различной толщины на стеклянной подложке. Определены спектральные зависимости коэффициентов пропускания стеклянной подложки и системы стеклянная подложка-пленка диоксида титана в интервале длин волн 350-900 nm. Спектральная зависимость коэффициента пропускания системы пленка-подложка от длины волны света спектрофотометра имеет ярко выраженные чередующиеся максимумы и минимумы, обусловленные интерференцией. Определены толщины одно-, трех- и пятислойной пленок анатаза и дисперсия показателя преломления для пятислойной пленки. Проведены расчеты спектральной зависимости коэффициента пропускания. Показано, что чем меньше отношение толщины пленки диоксида титана к длине волны света, тем лучше результаты расчетов дисперсии коэффициента пропускания согласуются с экспериментом. Определена спектральная зависимость коэффициента поглощения для пятислойной пленки диоксида титана. Ключевые слова: диоксид титана (анатаз), показатель преломления, дисперсия, коэффициенты пропускания и поглощения.
- В.И. Фистуль. Сильно легированные полупроводники (Наука, М., 1967)
- В.М. Зайнулина, В.П. Жуков, В.Н. Красильников, М.Ю. Янченко, Л.Ю. Булдакова, Е.В. Поляков. ФТТ, 52 (2), 253 (2010). [V.M. Zainulina, V.P. Zhukov, V.N. Krasil'nikov, M.Yu. Yanchenko, L.Y. Buldakova, E.V. Polyakov. Phys. of the Solid State, 52 (2), 271 (2010).]
- Л.С. Лунин, М.Л. Лунина, A.A. Кравцов, И.А. Сысоев, А.В. Блинов. ФТП, 50 (9), 1253 (2016). [L.S. Lunin, M.L. Lunina, A.A. Kravtsov, I.A. Sysoev, A.V. Blinov, Semiconductors, 50 (9), 1231 (2016). DOI: 10.1134/S1063782616090141]
- В.А. Логачева, А.Н. Лукин, H.H. Афонин, O.B. Сербин. Опт. и спектр., 126 (6), 751 (2019). DOI: 10.21883/OS.2019.06.47769.32-19 [V.A. Logacheva, A.N. Lukin, N.N. Afonin, O.V. Serbin, Opt. Spectr., 126 (6), 674 (2019). DOI: 10.1134/S0030400X19060158]
- В.В. Брус, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук. ЖТФ, 82 (8), 110 (2012). [V.V. Brus, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk. Tech. Phys., 57 (8), 1148 (2012).]
- В.М. Калыгина, И.М. Егорова, И.А. Прудаев, О.П. Толбанов. ФТП, 50 (8), 1036 (2016). [V.M. Kalygina, I.M. Egorova, V.A. Novikov, I.A. Prudaev, O.P. Tolbanov. Semiconductors, 50 (9), 1156 (2016).]
- В.М. Калыгина, И.М. Егорова, И.А. Прудаев, О.П. Толбанов. ФТП, 50 (9), 1178 (2016). [V.M. Kalygina, I.M. Egorova, V.A. Novikov, I.A. Prudaev, O.P. Tolbanov, Semiconductors, 50 (9), 1015 (2016).]
- Н.В. Чиркунова, М.В. Дорогов, А.Е. Романов. Письма в ЖТФ, 49 (11), 7, (2023). DOI: 10.21883/PJTF.2023.11.55530.19522. [N.V. Chirkunov, M.V. Dorogov, A.E. Romanov. Tech. Phys. Lett., 49 (6), 7 (2023).]
- M. Landmann, E. Rauls, W.G. Schmidt. J. Phys.: Condensed Matter., 24 (19), 1 (2012). DOI: 10.1088/0953-8984/24/19/195503
- А.А. Гончаров, А.Н. Евсюков, Е.Г. Костин, Б.В. Стеценко, Е.К. Фролов, А.И. Щуренко. ЖТФ, 80 (8), 127 (2010). [A.A. Goncharov, A.N. Evsyukov, E.G. Kostin, B.V. Stecenko, E.K. Frolov, A.I. Shchurenko. Tech. Phys., 55 (8), 1200 (2010).]
- А.Ю. Степанов, Л.В. Сотникова, А.А. Владимиров, А.В. Ханефт, Е.В. Просвиркина, Ф.В. Титов, Д.В. Дягилев. Ползуновский вестник, 3, 53 (2014)
- Д.В. Дягилев, T.A. Ларичев, B.M. Пугачев, A.A. Владимиров, Л.В. Сотникова, T.C. Манина, А.Ю. Степанов, Ю.H. Дудникова. Журнал структурной химии, 55 (6), 1208 (2014). [D.V. Dyagilev, T.A. Larichev, V.M. Pugachev, A.A. Vladimirov, L.V. Sotnikova, T.S. Manina, A.Yu. Stepanov, Yu.N. Dudnikova. J. Structural Chem., 55 (6), 1152 (2014). DOI: 10.1134/S0022476614060250
- В.И. Ильин, С.Ф. Мусихин, А.Я. Шик. Варизонные полупроводники и гетероструктуры (Наука, СПб., 2000)
- А.С. Валеев. Опт. и спектр., 15 (4), 500 (1963)
- Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (Наука, М., 1966)
- M. Garbuny. Optical physics (Academic press, NY. and London, 1965)
- Н.М. Годжаев. Оптика (Высшая школа, М., 1977)
- А.Е. Мудров. Численные методы для ПЭВМ на языках Бейсик, Фортран и Паскаль (МП "РАСКО", Томск, 1991)
- В.Д. Попович, P. Potera, И.С. Вирт, М.Ф. Билык. ФТП, 43 (6), 759 (2009). [V.D. Popovych, P. Potera, I.S. Virt, M.F. Bilyk. Semiconductors, 43 (6), 730 (2009). DOI: 10.1134/S1063782609060086]
- N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials (Clarendon Press, Oxford, 1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
