Вышедшие номера
Ближнее поле излучения и эффект неоднородности распределения плотности тока в AlInGaN микросветодиодах
Закгейм А.Л. 1, Иванов А.Е.1,2, Черняков А.Е. 1, Алексанян Л.А.3, Поляков А.Я.3
1НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: zakgeim@mail.ioffe.ru, chernyakov.anton@yandex.ru
Поступила в редакцию: 21 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 24 июля 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 12 февраля 2025 г.

Объектом исследования являлись быстро развивающиеся в настоящее время микросветодиоды на основе наногетероструктур AlGaInN, обладающие высокими электролюминесцентными характеристиками, открывающими новые возможности применения. Исследование ближнего поля излучения с высоким пространственным разрешением (мэппинг) выявило высокую неоднородность плотности тока в широком диапазоне уровней возбуждения, а именно концентрацию света и тока в кольцевой области, примыкающей к боковой поверхности мезы. С учетом этого эффекта вводится понятие "эффективной" плотности тока, анализируются токовые зависимости энергетических характеристик, включая насыщение оптической мощности и падение квантовой эффективности. Ключевые слова: AlInGaN, мезоструктура, микросветодиод, электролюминесценция, ближнее поле излучения, квантовый выход.
  1. C. Lin et al. J. Phys. Photonics, 5, 042502 (2023). DOI: 10.1088/2515-7647/acf972
  2. Y. Huang et al. Light: Science \& Appl., 9, 105 (2020). DOI: 10.1038/s41377-020-0341-9
  3. K. Bulashevich, S. Karpov. Phys. Stat. Solidi, RRL, 1-5 (2016). DOI: 10.1002/pssr.201600059
  4. S. Konoplev, K. Bulashevich, S. Karpov. Phys. Stat. Solidi A, 215 (10), 1700508 (2017). DOI: 10.1002/pssa.201700508
  5. J. Smith et al. Appl. Phys. Lett., 116, 071102 (2020). DOI: 10.1063/1.5144819
  6. S. Karpov. Opt. Quantum Electron, 47 (6), 1293-1303 (2015). DOI: 10.1007/s11082-014-00429
  7. А.Л. Закгейм, А.Е. Черняков. Светотехника, 4, 51 (2013)
  8. In-Hwan Lee, Tae-Hwan Kim, A.Y. Polyakov et al. J. Alloys and Compounds, 921, 166072 (2022). DOI: 10.1016/j.jallcom.2022.166072
  9. X. Guo, E.F. Schubert. Appl. Phys. Lett., 78 (21), 3337 (2001). DOI: 10.1063/1.1372359
  10. M. Shatalov et al. Jpn. J. Appl. Phys., 41, 5083 (2002). DOI: 10.1143/JJAP.41.5083
  11. А.Л. Закгейм, А.Е. Иванов, А.Е. Черняков. Письма в ЖТФ, 47 (16), 32 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.16.51326.18795
  12. А.Л. Закгейм, Г.Л. Курышев, М.Н. Мизеров и др. ФТП, 44 (3), 390 (2010)
  13. A.E. Chernyakov, K.A. Bulashevich, S.Yu. Karpov, A.L. Zakgeim. Phys. Stat. Solidi A, 210 (3), 466-469 (2013). DOI: 10.1002/pssa.201200658
  14. V. Zabelin, D.A. Zakheim, S.A. Gurevich. IEEE J. Quantum Electron., 40 (12), 1675-1686 (2004). DOI: 10.1109/JQE.2004.837005
  15. Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский и др. ФТП, 39 (7), 885 (2005)
  16. Е.Ф. Шуберт. Светодиоды (Физматлит, М., 2008)
  17. А.Л. Закгейм, А.В. Аладов, А.Е. Иванов , Н.А. Тальнишних, А.Е. Черняков. Письма в ЖТФ, 48 (13), 33 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.13.52742.19182

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.