Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2025, выпуск 3 » Статья стр. 598
<<<>>>
Анализ поверхности поликристаллического CVD-алмаза после статической термохимической обработки
Министерство образования и науки Российской Федерации, FSFZ-2022-0006
Лебеденко А.В. 1,2, Клепиков И.В. 1,2,3, Куликов Е.Н.4, Дерябкин А.В.4, Федоров Ю.Ю.4, Шепелев В.А.2, Алтухов А.А.2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Российский технологический университет Московский институт радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия
3ООО "Научно-производственный комплекс "Алмаз"", Сестрорецк, Россия
4АО "Научно-производственное предприятие "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
Email: a.lebedenko@spbu.ru, klepikov_igor@mail.ru, istok220@mail.ru, valq2006@rambler.ru, altuhov_a@mirea.ru
Поступила в редакцию: 18 октября 2024 г.
В окончательной редакции: 18 октября 2024 г.
Принята к печати: 18 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2025 г.
PDF версия
Представлен комплексный анализ поверхности поликристаллического CVD-алмаза после его статической термохимической обработки. Исследование сфокусировано на тонких изменениях в морфологии и шероховатости поверхности алмаза до и после обработки. Для проведения анализа использованы методы оптической, атомно-силовой и растровой электронной микроскопии, что позволило детально охарактеризовать как макроскопические, так и микроскопические изменения. Результаты показали снижение параметров шероховатости поверхности, существенное изменение рельефа и скульптур на поверхности алмаза, что свидетельствует об эффективности термохимической обработки такого сложного материала, как поликристаллический алмаз. Ключевые слова: CVD-алмаз, поликристаллический алмаз, поликристалл, шероховатость поверхности, метод термохимической обработки, термохимическая обработка.
  1. Р.А. Хмельницкий, Н.Х. Талипов, Г.В. Чучева. Синтетический алмаз для электроники и оптики (ИКАР, М., 2017)
  2. M. Kim, J.-H. Seo, U. Singisetti, Z. Ma. J. Mater. Chem. C, 5, 45 (2017). DOI: 10.1039/C7TC02221B
  3. A. Bindra. IEEE Power Electron Magazine, 2 (1), 5 (2015). DOI: 10.1109/MPEL.2014.2382195
  4. S. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys., 54 (3), 12 (2015). DOI: 10.7567/JJAP.54.030101
  5. J. Canas, A.C. Pakpour-Tabrizi, T. Trajkovic, F. Udrea, D. Eon, E. Gheeraert, R. Jackman, A.C. Pakpour-Tabrizi, R.B. Jackman. IEEE Trans Electron Devices, 68, 6 (2021). DOI: 10.1109/TED.2021.3117237i
  6. Q. He, J. Zhang, Z. Ren, J. Zhang, K. Su, Y. Lei, D. Ly, T. Mi, Y. Hao. Diamond Related Mater., 119, 5 (2021). DOI: 10.1016/j.diamond.2021.108547
  7. T. Matsumoto, T. Yamakawa, H. Kato, T. Makino, M. Ogura, X. Zhang, T. Inokuma, S. Yamasaki, N. Tokuda. Appl. Phys. Lett., 119, 5 (2021). DOI: 10.1063/5.0075964
  8. P.L. Tso, T.M. Wang. Adv. Mater. Res., 76- 78, 6 (2009). DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMR.76-78.207
  9. П.П. Мальцев, С.В. Редькин, И.А. Глинский, Н.В. Побойкина, М.П. Духновский, Ю.Ю. Федоров, А.К. Смирнова, Е.Н. Куликов, С.В. Щербаков, И.А. Леонтьев, О.Ю. Кудряшов, А.С. Скрипниченко. Нано- и микросистемная техника, 18 (4), 13 (2016)
  10. H.Y. Tsai, C.J. Ting, C.P. Chou. Diamond Related Mater., 16, 9 (2007). DOI: 10.1016/j.diamond.2006.06.007
  11. T. Schuelke, T.A. Grotjohn. Diamond Related Mater., 32, 10 (2013). DOI: 10.1016/j.diamond.2012.11.007
  12. L. Zhang, D.H. Wen, S.M. Ji, Q.L. Yuan, Z.H. Xu. Adv. Mater. Res., 69- 70, 7 (2009). DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMR.69-70.192
  13. C.H. Hsieh, H.Y. Tsai, H.T. Lai, H.Y. Lin. Nano- and Microtechnology: Mater., Processes, Packaging, Systems, 4936, 8 (2002). DOI: 10.1117/12.469741
  14. J. Watanabe, M. Touge, T. Sakamoto. Diamond Related Mater., 39, 6 (2013). DOI: 10.1016/j.diamond.2013.07.001
  15. K. Yamaguchi, M. Ota, K. Egashira, H. Miwa, Y. Onchi, K. Tanada. Trans Tech. Publications, 874, 6 (2016). DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.874.139
  16. T. Kuriyagawa, K. Syoji. Progress in Precision Engineering (Springer, Berlin, 1991) DOI: 10.1007/978-3-642-84494-2_47
  17. Z.M. Cui, Y.G. Han, J.P. Kong, Q.Q. Chen. Adv. Mater. Res., 797, 5 (2013). DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMR.797.491
  18. M.J. Ashe, G.A. Tripp, F.C. Eichmiller, L.A. George, J.C. Meiers. JADA, 127, 6 (1996). DOI: 10.14219/jada.archive.1996.0059
  19. M. Pacella. Procedia CIRP, 87, 5 (2020). DOI: 10.1016/j.procir.2020.02.084
  20. F.Y. Chang, C.F. Hsu, W.H. Lu. Appl. Sci., 11 (5871), 22 (2021). DOI: 10.3390/app11135871
  21. M.G. Warhanek, J. Pfaff, L. Meier, C. Walter, K. Wegener. SPIE Proceed., 9736, 10 (2016). DOI: 10.1117/12.2212771
  22. А.В. Дерябкин, Ю.Ю. Федоров, М.П. Темирязева. VII Всероссийская научно-техническая конференция "Электроника и микроэлектроника СВЧ", 1, 1 (2018)
  23. A. Hirata, H. Tokura, M. Yoshikawa. Thin Solid Films, 212, 6 (1992). DOI: 10.1016/0040-6090(92)90498-z
  24. J.A. Weima, W.R. Fahrner, R. Job. J. Solid State Electrochem., 5, 7 (2001). DOI: 10.1007/s100080000118
  25. S.A. Eremin, A.M. Kolesnikova, I.A. Leontiev, V.N. Anikin, O.Yu. Kudryashov, Y.M. Yashnov, M.V. Zhdanova. IOP Conf. Ser.: Mater. Sci., 848, 012016 (2020). DOI: 10.1088/1757-899X/848/1/012016
  26. A.P. Malshe, B.S. Park, W.D. Brown, H.A. Naseem. Diamond Related Mater., 8, 16 (1999). DOI: 10.1016/s0925-9635(99)00088-6
  27. S. Jin, J.E. Graebner, T.H. Tiefel, G.W. Kammlott, G.J. Zydzik. Diamond Related Mater., 1 (9), 5 (1992). DOI: 10.1016/0925-9635(92)90116-6
  28. M. McCormack, S. Jin, J.E. Graebner, T.H. Tiefel, G.W. Kammlott. Diamond Related Mater., 3, 5 (1994). DOI: 10.1016/0925-9635(94)90088-4
  29. Z. Minglong, X. Yiben, W. Linjun, S. Hujiang. Solid State Commun., 130, 4 (2004). DOI: 10.1016/j.ssc.2004.01.013
  30. T. Semba, S. Ohta, Y. Amamoto, H. Fujiyama, H. Sumiya. Transactions Jpn. Society Mechan. Eng., 77 (784), 14 (2011). DOI: 10.1299/kikaic.77.4704
  31. A. Kubota, S. Nagae, S. Motoyama, M. Touge. Diamond Related Mater., 60, 5 (2015). DOI: 10.1016/j.diamond.2015.10.026
  32. Y. Sun, S. Wang, S. Tian, Y. Wang. Diamond Related Mater., 15, 6 (2006). DOI: 10.1016/j.diamond.2005.10.057
  33. J.E. Graebner, S. Jin, G.W. Kammlott, B. Bacon, L. Seibles, W. Banholzer. J. Appl. Phys., 71 (5353), 4 (1992). DOI: 10.1063/1.350553
  34. P. Miranzo, M.I. Osendi, E. Garcia, A.J.S. Fernandes, V.A. Silva, F.M. Costa, R.F. Silva. Diamond Related Mater., 11, 5 (2002). DOI: 10.1016/s0925-9635(02)00028-6
  35. P. Niedermann, W. Hanni, N. Blanc, R. Christoph, J. Burger. J. Vacuum Sci. Technol. A, 14 (1233), 5 (1996). DOI: 10.1116/1.580273
  36. M. Hoinkis, E.R. Weber, M.I. Landstrass, M.A. Plano, S. Han, D.R. Kania. Appl. Phys. Lett., 59 (1870), 2 (1991). DOI: 10.1063/1.106172
  37. А.В. Дерябкин, Е.Н. Куликов, А.К. Смирнова. V Всеросс. научно-техническая конф. "Электроника и микроэлектроника СВЧ", 2, (2016).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme