Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Квантовый магнетотранспорт электронного газа в треугольной квантовой яме
1Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия 
Email: kuz@uniyar.ac.ru, romanov.yar357@mail.ru
Поступила в редакцию: 17 сентября 2024 г.
В окончательной редакции: 20 декабря 2024 г.
Принята к печати: 25 декабря 2024 г.
Выставление онлайн: 24 марта 2025 г.
Получены выражения для коэффициентов Холла и магнетосопротивления тонкого полупроводникового слоя на границе гетероперехода, находящегося в поперечном магнитном поле. Для решения задачи использовалось квантовое уравнение Лиувилля. Рассматривались температуры, при которых уровни Ландау в плоскости пленки не учитывались. Влияние поверхностного рассеяния носителей заряда описано диффузно-зеркальными граничными условиями Соффера. Проведен анализ зависимости коэффициентов Холла и магнетосопротивления от индукции магнитного поля, электрохимического потенциала и параметра шероховатости. Ключевые слова: квантовое уравнение Лиувилля, модель Соффера, коэффициент Холла, коэффициент магнетосопротивления, квантовая треугольная яма.
- J. Shi, Z. Li, D.K. Sang, Y. Xiang, J. Li, S. Zhang, H. Zhang. J. Mater. Chem. C, 6 (6), 1291 (2018). DOI: 10.1039/c7tc05460b
- R. Singh, H. Kang, H. Shin, J.-Y. Park, H. Seo. Appl. Surf. Sci., 580, 152266 (2022). DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.152266
- X. Zhou, B. Li, X. Tian, Yu. Jiang, R. Zhao, M. Zhao, Ju. Gao, J. Xing, J. Qiu, G. Liu. J. Phys. D: Appl. Phys., 56, 205304 (2023). DOI: 10.1088/1361-6463/acc53d
- Е.Р. Бурмистров, Л.П. Авакянц. ЖЭТФ, 163, 5, 669 (2023). DOI: 10.31857/S0044451023050061
- Ph. Kuhne, N. Armakavicius, A. Papamichail, D.Q. Tran, V. Stanishev, M. Schubert, P.P. Paskov, V. Darakchieva. Appl. Phys. Lett., 120, 253102 (2022). DOI: 10.1063/5.0087033
- M.N.A. Aadit, S.G. Kirtania, F. Afrin, Md.K. Alam, Q.D.M. Khosru. Different Types of Field-Effect Transistors Theory and Applications (2017). DOI: 10.5772/67796
- S.B. Soffer. J. Appl. Phys., 38 (4), 1710 (1967). DOI: 10.1063/1.1709746
- R.A. Khadar, C. Liu, R. Soleimanzadeh, E. Matioli. IEEE Electron Device Lett., 40, 3, 443 (2019). DOI: 10.1109/LED.2019.2894177
- B. Unal. AIP Advances, 2, 042145 (2012). DOI: 10.1063/1.4768275
- S. Chatterjee, A.E. Meyerovich. Phys. Rev. B, 81, 245409 (2010). DOI: 10.1103/PhysRevB.81.245409
- R.I. Bihun, Z.V. Stasyuk, O.A. Balitskii. Physica B Condens. Matter, 487, 73 (2016). DOI: 10.1016/j.physb.2016.02.003
- А.Я. Шульман, Д.В. Посвянский. ЖЭТФ, 157, 6, 1072 (2020). DOI: 10.31857/S0044451020060097 [A.Ya. Shul'man, D.V. Posvyanskii. J. Exp. Theor. Phys., 130, 903 (2020). DOI: 10.1134/S106377612005009X]
- И.А. Кузнецова, О.В. Савенко, Д.Н. Романов. ФТП, 55, 9, 789 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.09.51296.26
- I.A. Kuznetsova, D.N. Romanov, O.V. Savenko. Phys. Scr., 98, 015839 (2023). DOI: 10.1088/1402-4896/acad38
- J. Xiao, Z. Hong, Z. Roungxiu, J. Zhao. J. Semicond., 34 (7), 072004 (2013). DOI: 10.1088/1674-4926/34/7/072004
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
