Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2025, выпуск 5 » Статья стр. 961
<<<>>>
Токоперенос в системе зонд туннельного микроскопа-туннельный зазор-слой квантовых точек полупроводников соединений А3B5 и A2B6 при освещении
РНФ, 21-73-20057
Кабанов В.Ф., Михайлов А.И., Гавриков М.В.
Email: v7021961@yandex.ru, mikhailovai13@mail.ru, maks.gavrikov.96@gmail.com
Поступила в редакцию: 29 декабря 2024 г.
В окончательной редакции: 29 декабря 2024 г.
Принята к печати: 29 декабря 2024 г.
Выставление онлайн: 24 апреля 2025 г.
PDF версия
Исследованы особенности токопереноса в системе зонд туннельного микроскопа-туннельный зазор-слой квантовых точек полупроводников соединений А3В5 и А2В6 под воздействием внешнего электромагнитного излучения видимого спектрального диапазона. Установлено, что пики на нормированных дифференциальных туннельных вольт-амперных харакиеристиках, соответствующие дискретным уровням энергетического спектра исследуемых квантовых точек, при освещении могут исчезать, что обусловлено включением в процесс токопереноса фотогенерированных электронов. Ключевые слова: полупроводниковые квантовые точки, энергетический спектр, фотогенерация, туннельные вольт-амперные характеристики.
  1. В.П. Драгунов, Д.И. Остертак. Микро- и наноэлектроника (Новосибирский гос. тех. ун-т, Новосибирск, 2012)
  2. А.Н. Игнатов. Наноэлектроника. Состояние и перспективы развития: учебное пособие (ФЛИНТА, М., 2012)
  3. Е.А. Бунтов, А.С. Вохминцев, Т.В. Штанг. Современные устройства и элементы наноэлектроники (ФЛИНТА, М., 2020)
  4. E.H. Ghazi, R.E. Nadir. Ergonomics Intern. J., 8 (1), 1 (2024). DOI: 10.23880/eoij-16000324
  5. W.A.A. Mohamed, H.A. El-Gawad, S. Mekkey, H. Galal, H. Handal, H. Mousa, A. Labib. Nanotechnol. Rev., 10 (1), 1926 (2021). DOI: 10.1515/ntrev-2021-0118
  6. В.А. Мошников, О.А. Александрова. Наночастицы, наносистемы и их применение. Ч. 1: Коллоидные квантовые точки (Аэтерна, Уфа, 2015)
  7. M. Ballabio, E. Canovas. ACS Nanoscience Au, 2 (5), 367 (2022). DOI: 10.1021/acsnanoscienceau.2c00015
  8. Q. Li, K. Wu, H. Zhu, Y. Yang, S. He, T. Lian. Chem. Rev., 124 (9), 5695 (2024). DOI: 10.1021/acs.chemrev.3c00742
  9. L. Mathe, D. Sticlet, L.P. Z\^arbo. Phys. Rev. B, 105, 155409 (2022). DOI: 10.1103/PhysRevB.105.155409
  10. R.A. Bush, E.D. Ochoa, J.K. Perron. Am. J. Phys., 89, 300 (2021). DOI: 10.1119/10.0002404
  11. КВ. Рейх. УФН, 190, 1062 (2020). DOI: 10.3367/UFNr.2019.08.038649
  12. G. Ohkatsu, T. Nishinobo, M. Saruyama, T. Teranishi, Y. Majima. Nanoscale Adv., 6, 4346 (2024). DOI: 10.1039/D4NA00288A
  13. J. Duan, J. Wang, L. Hou, P. Ji. Chem. Record, 23 (10), e202300120 (2023). DOI: 10.1002/tcr.202300120
  14. I. Swart, Z. Sun, D.A.M. Vanmaekelbergh, P. Liljeroth. Nano Lett., 10 (5), 1931 (2010). DOI: 10.1021/nl100949a
  15. В.Ф. Кабанов, А.И. Михайлов, М.В. Гавриков. ФТП, 55 (3), 237 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.03.50601.9471
  16. А.И. Михайлов, В.Ф. Кабанов, Е.Г. Глуховской, И.А. Горбачев. ФТП, 52 (6), 603 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.06.45923.8443
  17. А.И. Михайлов, В.Ф. Кабанов, М.В. Гавриков. Квантовые точки полупроводников А3В5 и А2В6: физика, получение, методология и результаты исследования (Саратовский источник, Саратов, 2023)
  18. V.F. Kabanov, A.I. Mikhailov, M.V. Gavrikov. Nanosystems: Phys., Chem., Mathem., 12 (1), 113 (2021) DOI: 10.17586/2220-8054-2021-12-1-113-117
  19. W. Liu, J.-S. Lee, D.V. Talapin. J. Am. Chem. Soc., 135 (4), 1349 (2013). DOI: 10.1021/ja308200f
  20. W. Liu, A.Y. Chang, R.D. Schaller, D.V. Talapin. J. Am. Chem. Soc., 134, 20258 (2012). DOI: 10.1021/ja309821j
  21. P. Reiss, M. Protiere, L. Li. Small, 5 (2), 154 (2009). DOI: 10.1002/smll.200800841
  22. E.S. Speranskaya, N.V. Beloglazova, P. Lenain, S. De Saeger, Z. Wang, S. Zhang, Z. Hens, D. Knopp, R. Niessner, D.V. Potapkin, I.Yu. Goryacheva. Biosensors and Bioelectronics, 53, 225 (2014). DOI: 10.1016/j.bios.2013.09.045
  23. O.N. Oliveira Jr., L. Caseli, K. Ariga. Chem. Rev., 122 (6), 6459 (2022). DOI: 10.1021/acs.chemrev.1c00754
  24. W. Gu, Q. Li, R. Wang, L. Zhang, Z. Liu, T. Jiao. Nanomaterials, 14 (12), 1039 (2024). DOI: 10.3390/nano14121039
  25. J. Xu, X. Ji, K.M. Gattas-Asfura, C. Wang, R.M. Leblanc. Colloids and Surfaces A: Physicochem. Engineering Aspects, 284--285, 35 (2006). DOI: 10.1016/j.colsurfa.2005.11.046
  26. A.I. Mikhailov, V.F. Kabanov, M.V. Gavrikov. Nanosystems: Phys., Chem., Mathem., 10, 720 (2019). DOI: 10.17586/2220-8054-2019-10-6-720-724
  27. А.И. Михайлов, В.Ф. Кабанов, И.А. Горбачев, А.В. Казак, Н.В. Усольцева, Е.Г. Глуховской. Известия АН. Сер. физ., 81 (12), 1668 (2017). DOI: 10.7868/S0367676517120195
  28. T. Wang, R. Vaxenburg, W. Liu, S.M. Rupich, E. Lifshitz, A.L. Efros, D.V. Talapin, S.J. Sibener. ACS Nano, 9 (1), 725 (2015). DOI: 10.1021/nn5061805
  29. А.И. Михайлов, В.Ф. Кабанов. Нано- и биомедицинские технологии. Управление качеством. Проблемы и перспективы. Сборник научных статей. 75 (2016)
  30. Н.В. Егоров, Е.П. Шешин. Автоэлектронная эмиссия (Интеллект, М., 2011)
  31. A.I. Mikhailov, V.F. Kabanov, M.V. Gavrikov. Nano Hybrids and Composites, 28, 130 (2020). DOI: 10.4028/www.scientific.net/NHC.28.130
  32. В.П. Драгунов, И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин. Основы наноэлектроники (Логос, М., 2006)
  33. М. Грундман. Основы физики полупроводников: нанофизика и технические приложения (Физматлит, М., 2012)
  34. Д.М. Самосват, В.П. Евтихиев, А.С. Школьник, Г.Г. Зегря. ФТП, 47 (1), 24 (2013).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme