Влияние применяемых материалов в конструкции кристаллизатора на скоростной рост моносекториальных крупногабаритных кристаллов типа KDP
Севрюкова А.Н.1,2, Чупрунов Е.В.2, Ким Е.Л.2, Наумов А.А.1, Грибко В.В.1, Прохоров А.П.1
1Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН, Нижний Новгород, Россия
2Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Email: sevriukova@ipfran.ru
Поступила в редакцию: 4 июня 2024 г.
В окончательной редакции: 11 февраля 2025 г.
Принята к печати: 9 марта 2025 г.
Выставление онлайн: 16 июня 2025 г.
Разработана методика определения возможности применения материалов в конструкциях кристаллизатора для метода скоростного роста кристаллов типа KDP (кристаллы дигидрофосфата калия). Получен кристалл дигидрофосфата калия габаритами 620x 560x 72 mm, выращенный в кристаллизаторе, собранном на основе материалов, предварительно прошедших проверку согласно разработанной методике. Ключевые слова: кристалл, кристаллы дигидрофосфата калия, высокодейтерированные растворы, скоростной рост, примеси, кинетика роста кристаллов.
- N.I. Zaitseva, L.J. Carman. Conf. Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials, 43 (1), 118 (2001). DOI: 10.1016/S0960-8974(01)00004-3
- H. Robey, R. Floyd, R. Torres, A. Burnham. LLNL Rep. UCRL-ID-133365 (Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, Calif., 1999)
- L.N. Rashkovich. KDP --- Family Single Crystals (1st ed.) (CRC Press, 1991), DOI: 10.1201/9781003062844
- I.A. Batyreva, V.I. Bespalov, V.I. Bredikhin, G.L. Galushkina, V.P. Ershov, V.I. Katsman, S.P. Kuznetsov, L.A. Lavrov, M.A. Novikov, N.R. Shvetsova. J. Crystal Growth, 52, 832 (1981). DOI: 10.1016/0022-0248(81)90385-7
- В.П. Ершов. Скоростной рост моносекториальных профилированных кристаллов группы KDP (Канд. дисс. Н. Новгород, 146, 2007)
- E.P. Efremova, N.P. Zaitseva, A.Yu. Klimova, T.M. Okhrimenko, M.L. Barsukova, V.D. Spitsyna, V.A. Kuznetsov. Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater., 27 (12), 2600 (1991)
- M. Rak, N.N. Eremin, T.A. Eremina, V.A. Kuznetsov, T.M. Okhrimenko, N.G. Furmanova, E.P. Efremova. J. Crystal Growth, 273, 577 (2005). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.09.067
- T.A. Eremina, V.A. Kuznetsov, N.N. Eremin, T.M. Okhrimenko, N.G. Furmanova, E.P. Efremova, M. Rak. J. Crystal Growth, 273, 586 (2005). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.09.068
- Д.А. Воронцов, В.П. Ершов. Вестник ННГУ. Сер. Физика твердого тела, 1 (9), 132 (2006)
- Л.Н. Рашкович, О.А. Шустин, Т.Г. Черневич. ФТТ, 42 (10), 1869 (2000)
- T.N. Thomas, T.A. Land, J.J. De Yoreo, W.H. Casey. Langmuir, 20 (18), 7643 (2004)
- L.N. Rashkovich, N.V. Kronsky. J. Crystal Growth, 182, 434 (1997)
- Е.А. Хазанов, А.А. Шайкин, И.Ю. Костюков, В.Н. Гинзбург, И.Б. Мухин, И.В. Яковлев, А.А. Соловьев, И.И. Кузнецов, С.Ю. Миронов, А.В. Коржиманов, Д.Н. Буланов, И.А. Шайкин, А.А. Кочетков, А.А. Кузьмин, М.А. Мартьянов, В.В. Ложкарев, М.В. Стародубцев, А.Г. Литвак, А.М. Сергеев. Квантовая электроника, 53 (2), 95 (2023)
- S.K. Sharma, S. Verma, V.K. Wadhawan, B.B. Shrivastava. J. Crystal Growth, 244 (3-4), 342 (2002). DOI: 10.1016/S0022-0248(02)01658-5
- H. Robey, R. Floyd, R. Torres, A. Burnham. Impurity leaching rates of 1000 liter growth tanks (Lawrence Livermore National Laboratory, 1999), DOI: 10.2172/8048
- H. Robey, M. DeHaven, C. Steffani, I. Fine, W. Olund, D. Schumann. A controlled study of KDP solution contamination from Halar-coated aluminum growth platforms (LLNL internal document, in preparation, Jan., 1999)
- Д.А. Воронцов, Е.Л. Ким, В.Н. Портнов, В.Н. Трушин. Вестник Нижегородского ун-та им. Н.И. Лобачевского, 5 (1), 50 (2011)
- Е.П. Ефремова, В.А. Кузнецов, А.Ю. Климова, О.В. Качалов, И.Л. Смольский, В.С. Наумов, М.И. Колыбаева, В.И. Сало. Кристаллография, 38 (5), 171 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.