Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние дислокаций на теплоперенос в германии
Малышкина О.В.
1, Каплунов И.А.
1, Мамаев П.В.1, Рогалин В.Е.
2, Кропотов Г.И.
3
1Тверской государственный университет, Тверь, Россия 
2Институт электрофизики и электроэнергетики РАН, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Тидекс", Санкт-Петербург, Россия
2Институт электрофизики и электроэнергетики РАН, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Тидекс", Санкт-Петербург, Россия
Email: Olga.Malyshkina@mail.ru, Kaplunov.IA@tversu.ru, tyrok6112@gmail.com, v-rogalin@mail.ru, grigorykropotov@tydex.ru
Поступила в редакцию: 23 января 2025 г.
В окончательной редакции: 25 мая 2025 г.
Принята к печати: 27 мая 2025 г.
Выставление онлайн: 21 октября 2025 г.
Проведены сравнительные исследования тепловых характеристик монокристаллов германия с дислокациями и бездислокационного в динамическом режиме прохождения температурной волны через образец. Показано, что образцы бездислокационного германия имеют большее значение коэффициента теплопроводности (на 18 % в кристаллографическом направлении <100> и на 9 % в направлении <111>) по сравнению с образцами германия с дислокациями. В то же время значения коэффициентов температуропроводности образцов бездислокационного и германия с дислокациями различаются незначительно. Ключевые слова: кристаллический германий, бездислокационный монокристаллический германий, теплопроводность, температуропроводность, TSW-метод исследования тепловых характеристик.
- L. Claeys, E. Simoen. Germanium--based technologies: from materials to devices (Elsevier, Berlin, 2007)
- G. Kropotov, V. Rogalin, I. Kaplunov. Crystals, 14 (9), 796 (2024). DOI: 10.3390/cryst14090796
- A.J. Fox. Appl. Opt., 26 (5), 872 (1987). https://opg.optica.org/ao/abstract.cfm?URI=ao-26-5-872
- F. Dimroth, S. Kurtz. MRS Bull., 32 (3), 230 (2007). www.mrs.org/bulletin
- N. Abrosimov, M. Czupalla, N. Dropka, J. Fischer, A. Gybin, K. Irmscher, J. Janicsko-Csathy, U. Juda, S. Kayser, W. Miller, M. Pietsch, F.M. Kieb ling. J. Crystal Growth, 532, 125396 (2019). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125396
- K. Wada, L.C. Kimerling. Photonics and Electronics with Germanium (John Wiley \& Sons, 2015)
- B. Depuydt, A. Theuwis, I. Romandic. Mater. Sci. Semicond. Processing, 9 (4-5), 437 (2006). DOI: 10.1016/j.mssp.2006.08.002
- K. Seref, I. Romandicb, A. Theuwisb. Mater. Sci. Semicond. Processing, 9, 753 (2006). DOI: 10.1016/j.mssp.2006.08.035
- I.A. Kaplunov, A.I. Kolesnikov, S.L. Shaiovich. J. Оptical Тechnol., 721 (3), 271 (2005). DOI: 10.1364/JOT.72.000271
- F. Dimroth, S. Kurtz. MRS Bulletin, 32 (3), 230 (2007). DOI: 10.1557/mrs2007.27
- A. Luque, S. Hegedus. Handbook of Photovoltaic Science and Engineering. 1st ed. (John Wiley \& Sons Ltd. Chichester, 2003)
- C.L. Claeys, E. Simoen. Germanium-Based Technologies: from Materials to Devices (Elsevier, Amsterdam, 2007)
- В.А. Закревский, А.В. Шульдинер. ФТТ, 42 (2), 263 (2000). [V.A. Zakrevskivi, A.V. Shul'diner. Physics Solid State, 42 (2), 270 (2000). DOI: 10.1134/1.1131195]
- Р. Смит. Полупроводники (Мир, М., 1982)
- О.В. Малышкина, О.Н. Калугина, М.Ю. Гавалян, И.А. Каплунов. ФТТ, 57 (11), 2102 (2015). [O.V. Malyshkina, O.N. Kalugina, M.Yu. Gavalyan, I.A. Kaplunov. Physics Solid State, 57 (11), 2159 (2015). DOI: 10.1134/S1063783415110232]
- О.В. Малышкина, И.А. Каплунов, М.Ю. Гавалян. Известия РАН. Серия физическая, 80 (8), 1104 (2016). DOI: 10.7868/S0367676516080305 [O.V. Malyshkina, I.A. Kaplunov, M.Yu. Ghavalyan. Bull. Russ. Academy Sci.: Physics, 80 (8), 1013 (2016). DOI: 10.3103/S106287381608030X]
- О.В. Малышкина, И.А. Каплунов, В.Ю. Фокина. Известия РАН. Серия физическая, 82 (5), 650 (2018). DOI: 10.7868/S0367676518050277 [O.V. Malyshkina, I.A. Kaplunov, V.Yu. Fokina. Bull. Russ. Academy Sci.: Physics, 82 (5), 578 (2018). DOI: 10.3103/S1062873818050222]
- A.V. Inyushkin, A.N. Taldenkov, A.M. Gibin, A.V. Gusev, H.J. Pohl. Phys. Status Solidi С, 1 (11), 2995 (2004). DOI: 10.1002/pssc.200405341
- И.Г. Кулеев, И.И. Кулеев, А.В. Инюшкин, В.И. Ожогин. ЖЭТФ, 128 (2), 370 (2005). [I.G. Kuleev, I.I. Kuleev, A.V. Inyushkin, V.I. Ozhogin. J. Experiment. Theor. Phys., 101 (2), 322 (2005). DOI: 10.1134/1.2047798]
- M.Y. Hu, H. Sinn, A. Alatas, W. Sturhahn, E.E. Alp, H.-C. Wille, Yu.V. Shvyd'ko, J.P. Sutter, V.I. Ozhogin, S. Rodriguez, R. Colella, E. Kartheuser, M.A. Villeret. Phys Rev. B, 67, 113306 (2003). DOI: 10.1103/PhysRevB.69.079902
- J.E. Parrott, A.D. Stuckes. Thermal Conductivity of Solids (Pion Limited, London, 1975)
- S.B. Lang. Ferroelectrics, 93, 87 (1989)
- А.А. Мовчикова, О.В. Малышкина, О.Н. Калугина. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 1, 37 (2012). [A.A. Movchikova, O.V. Malyshkina, O.N. Kalugina. J. Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 6 (1), 33 (2012). DOI: 10.1134/S102745101201017X]
- О.В. Малышкина, А.А. Мовчикова, Н.Б. Прокофьева, О.Н. Калугина. Вестник ТвГУ. Серия Физика, 7, 48 (2009)
- Yu.M. Smirnov, A.I. Ivanova, I.A. Kaplunov. Crystallography Reports, 53 (7), 1133 (2008). DOI: 10.1134/S1063774508070067
- K.P. Gradwohl, A.N. Danilewsky, M. Roder, M. Schmidbauer, J. Janicsko-Csathy, A. Gybin, N. Abrosimov, R.R. Sumathi. J. Appl. Crystallography, 53 (4), 880 (2020). DOI: 10.1107/S1600576720005993
