Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2003, выпуск 1 » Статья стр. 67
<<<>>>
Элемент памяти на периодических наноразмерных Si/CaF2 структурах
Берашевич Ю.А.1, Королев А.В.1, Данилюк А.Л.1, Борисенко В.Е.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Email: julia@nano.bsuir.edu.by
Поступила в редакцию: 13 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.
PDF версия
Предложен элемент памяти на основе периодической наноразмерной Si/CaF2 структуры, в котором запись информации осуществляется путем захвата заряда на ловушечные состояния в диэлектрике (CaF2). Высокий и низкий уровни сигнала в нем соответствуют току в максимуме и минимуме области отрицательного дифференциального сопротивления, возникающей в результате туннельно-резонансного переноса носителей заряда по уровню ловушек и диэлектрике. Быстродействие таких логических элементов определяется темпом активационного захвата носителей заряда на ловушечное состояние и темпом туннельного переноса носителей от одного состояния к следующему. Показано, что логические элементы на основе Si/CaF2 структур и предложенный элемент памяти имеют диапазон рабочих температур 77-300 K, время переключения 10-12-10-10 s и возможность совмещения с кремниевой технологией изготовления интегральных микросхем.
  1. Esaki L. // Phys. Rev. 1958. Vol. 109. P. 63--69
  2. Tsu R., Esaki L. // Appl. Phys. Lett. 1973. Vol. 22. N 11. P. 562--564
  3. Smith C.G. // Rep. Prog. Phys. 1994. Vol. 59. P. 235--241
  4. Ioannou-Sougleridis V., Nassiopoulou A.G., Arnaud d'Avitaya F., et al. European proects. Silicon Modules for Integrated Light Engineering. Marseille, 2000. 133 p
  5. Ioannou-Sougleridis V., Ouisse T., Nassiopoulou A.G. et al. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 89. N 1. P. 610--618.
  6. Берашевич Ю.А., Данилюк А.Л., Холод А.Н., Борисенко В.Е. // ФТП. 2001. Т. 35. N 1. С. 110--119
  7. Берашевич Ю.А., Данилюк А.Л., Холод А.Н., Борисенко В.Е. // ФТП. 2002. Т. 36. N 1. С. 91--96
  8. Берашевич Ю.А., Данилюк А.Л., Борисенко В.Е. // ФТП. 2002. Т. 36. N 6. С. 718--723
  9. Paul D.J., See P., Zozoulenko I.V. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 77. N 11. P. 1653--1655
  10. Watanabe M., Funayama T., Teraji T., Salamaki N. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 39. N 10b. P. L716--L719
  11. Watanabe M., Aoki Yu., Saito W., Tsuganazawa M. // J. Appl. Phys. 2999. Vol. 38. N 2. P. L116--L118
  12. Chen K.J., Waho T., Maezawa K., Yamamoto M. // IEEE Electron Device Lett. 1996. Vol. 17. N 6. P. 309--311
  13. Кирпиченко В.Я. // ЖЭТФ. 1999. Т. 116. Вып. 3. С. 1048--1057
  14. Cuberes M.T., Bauer A., Wen H.J. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1994. Vol. 12. P. 2646--2652.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme