Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Элемент памяти на периодических наноразмерных Si/CaF2 структурах
Берашевич Ю.А.1, Королев А.В.1, Данилюк А.Л.1, Борисенко В.Е.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь 
Email: julia@nano.bsuir.edu.by
Поступила в редакцию: 13 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.
Предложен элемент памяти на основе периодической наноразмерной Si/CaF2 структуры, в котором запись информации осуществляется путем захвата заряда на ловушечные состояния в диэлектрике (CaF2). Высокий и низкий уровни сигнала в нем соответствуют току в максимуме и минимуме области отрицательного дифференциального сопротивления, возникающей в результате туннельно-резонансного переноса носителей заряда по уровню ловушек и диэлектрике. Быстродействие таких логических элементов определяется темпом активационного захвата носителей заряда на ловушечное состояние и темпом туннельного переноса носителей от одного состояния к следующему. Показано, что логические элементы на основе Si/CaF2 структур и предложенный элемент памяти имеют диапазон рабочих температур 77-300 K, время переключения 10-12-10-10 s и возможность совмещения с кремниевой технологией изготовления интегральных микросхем.
- Esaki L. // Phys. Rev. 1958. Vol. 109. P. 63--69
- Tsu R., Esaki L. // Appl. Phys. Lett. 1973. Vol. 22. N 11. P. 562--564
- Smith C.G. // Rep. Prog. Phys. 1994. Vol. 59. P. 235--241
- Ioannou-Sougleridis V., Nassiopoulou A.G., Arnaud d'Avitaya F., et al. European proects. Silicon Modules for Integrated Light Engineering. Marseille, 2000. 133 p
- Ioannou-Sougleridis V., Ouisse T., Nassiopoulou A.G. et al. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 89. N 1. P. 610--618.
- Берашевич Ю.А., Данилюк А.Л., Холод А.Н., Борисенко В.Е. // ФТП. 2001. Т. 35. N 1. С. 110--119
- Берашевич Ю.А., Данилюк А.Л., Холод А.Н., Борисенко В.Е. // ФТП. 2002. Т. 36. N 1. С. 91--96
- Берашевич Ю.А., Данилюк А.Л., Борисенко В.Е. // ФТП. 2002. Т. 36. N 6. С. 718--723
- Paul D.J., See P., Zozoulenko I.V. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 77. N 11. P. 1653--1655
- Watanabe M., Funayama T., Teraji T., Salamaki N. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 39. N 10b. P. L716--L719
- Watanabe M., Aoki Yu., Saito W., Tsuganazawa M. // J. Appl. Phys. 2999. Vol. 38. N 2. P. L116--L118
- Chen K.J., Waho T., Maezawa K., Yamamoto M. // IEEE Electron Device Lett. 1996. Vol. 17. N 6. P. 309--311
- Кирпиченко В.Я. // ЖЭТФ. 1999. Т. 116. Вып. 3. С. 1048--1057
- Cuberes M.T., Bauer A., Wen H.J. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1994. Vol. 12. P. 2646--2652.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
