Межфазные взаимодействия и термодеградация контактных структур TiNx(TiBx)-n-n+-Si, стимулированные быстрыми термическими отжигами
Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Конакова Р.В., Миленин В.В., Войциховский Д.И.
Поступила в редакцию: 9 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.
Приведены результаты экспериментальных исследований термической стабильности контактов с барьером Шоттки (БШ) TiNx(TiBx)-n-n+-Si, Au-TiNx(TiBx)-n-n+-Si и Au-Ti(Mo)-TiNx(TiBx)-n-n+-Si, подвергнутых быстрым термическим отжигам в атмосфере водорода при T=400,600 и 800oC. Показано, что структурно-морфологические перестройки в слоях сплавов внедрения (бориды и нитриды титана) и связанные с ними процессы деградации электрофизических характеристик барьера происходят начиная с 600oC. Обсуждаются возможные причины, приводящие к нарушению барьерных свойств слоев нитридов и боридов титана.
- Сейдман А.А. // Обзоры по ЭТ. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. Вып. 6 (13366). М.: ЦНИИ "Электроника", 1988. 60 с
- Sundgren J.-E. // Thin Solid Films. 1985. Vol. 22. N 1. P. 21--44
- Lemperiere G., Poitevin J.M. // Thin Solid Films. 1984. Vol. 111. N 2. P. 339--349
- Русаков А.А. Рентгенография металлов. М.: Атомиздат, 1977. 480 с
- Самсонов Г.В., Портной К.И. Сплавы на основе тугоплавких соединений. М.: Оборонгиз, 1961
- Котельников Р.Б., Башлыков С.Н., Галиакбаров З.Г., Каштанов А.И. Особо тугоплавкие элементы и соединения. М.: Металлургия, 1968. 376 с
- Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. Пер. с англ. М.: Мир, 1986. 176 с
- Harris M., Lugujjo E., Gampisano S.U. // J. Vac. Sci. Technol. 1975. Vol. 12. N 1. P. 524--527
- Барабаш О.М., Коваль Ю.Н. Структура и свойства металлов и сплавов. Киев: Наукова думка, 1986. 598 с
- Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. Пер. с англ. М.: Мир, 1982. 576 с
- Андриевский Р.Н. Успехи химии. 1997. Т. 66. N 1. С. 57--77
- Suni J., Maenpaa M., Nicolet M.A., Luomajaw M. // J. Electrochem. Soc. 1983. Vol. 130. N 5. P. 1215--1218
- Нефедов В.И. Рентгеноэлектронная спектроскопия химических соединений. Справочник. М.: Химия, 1984. 256 с
- Seal S., Barr T., Sobczak N., Benko E. // J. Vac. Technol. 1997. Vol. A15. N 3. P. 505--512
- Boltovets N.S., Goncharuk N.M., Krivutsa V.A. et al. Semiconductor Physics. Quantum Electronics and Optoelectronics. 2000. Vol. 3. N 3. P. 352--358
- Chem J., Barnard J.A. // Material Science and Engineering. 1995. Vol. 191. P. 233--238
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук