Влияние сверхвысокочастотного отжига на структуры двуокись кремния-карбид кремния
Бачериков Ю.Ю., Конакова Р.В., Кочеров А.Н., Литвин П.М., Литвин О.С., Охрименко О.Б., Светличный А.М.1
1Таганрогский государственный радиотехнический университет, Таганрог, Россия
Email: svetlich@tsure.ru
Поступила в редакцию: 24 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.
Методами атомно-силовой микроскопии и спектроскопии оптического поглощения исследовано влияние СВЧ воздействия на свойства структур SiO2/SiC, полученных методами быстрого термического отжига и обычного термического окисления в парах воды. На основании анализа зависимостей изменения оптической плотности образцов от суммарного времени СВЧ воздействия сделан вывод о том, что наиболее устойчивыми к СВЧ воздействию являются структуры, полученные методом быстрого термического отжига. Показано, что длительное СВЧ воздействие приводит к выравниванию поверхности пленок окисла на наноуровне независимо от способа окисления карбида кремния.
- Антипин В.В., Годовицин В.А., Громов Д.В. и др. // Зарубежная электроника. 1995. N 1. С. 37--53
- Гегузин Я.Е., Кагановский Ю.С. Диффузионные процессы на поверхности кристалла. М. Энергоатомиздат. 1984. 124 с
- Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972. 320 с
- Дубровский Г.Б., Радованова Е.И. // ФТТ. 1969. Т. 11. Вып. 3. С. 680--684
- Горбань И.С., Завада В.П., Скирда А.С. // ФТТ. 1972. Т. 14. С. 3095--3097
- Горбань И.С., Скирда А.С. // УФЖ. 1981. Т. 26. N 2. С. 228--232
- Горбань И.С., Крохмаль А.П. // ФТП, 2001. Т. 35. N 11. С. 1299--1305
- Горбань И.С., Маразуев Ю.А., Скирда А.С. // ФТТ. 1972. Т. 14. Вып. 3. С. 780--783
- Сорокин Л.М., Трегубова А.С., Щеглов М.П. и др. // ФТТ. 2000. Т. 42. Вып. 8. С. 1384--1388
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук