Вышедшие номера
Электрические свойства поверхностно-барьерной фотодиодной структуры на основе HgInTe
Косяченко Л.А.1, Паранчич Ю.С.1, Макогоненко В.Н.1, Склярчук В.М.1, Склярчук Е.Ф.1, Герман И.И.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Email: rektor@chnu.cv.ua
Поступила в редакцию: 20 августа 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.

Исследованы поверхностно-барьерные фотодиоды, полученные вакуумным напылением полупрозрачного слоя золота на монокристаллы Hg3In2Te6. Приведены вольт-амперные характеристики при температурах 5-50oC и спектры фоточувствительности в актуальном для волоконно-оптической связи диапазоне 0.6-1.8 mum. Механизмы переноса заряда интерпретируются в рамках генерации-рекомбинации в области пространственного заряда диодной структуры.