Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические свойства поверхностно-барьерной фотодиодной структуры на основе HgInTe

Косяченко Л.А.¹, Паранчич Ю.С.¹, Макогоненко В.Н.¹, Склярчук В.М.¹, Склярчук Е.Ф.¹, Герман И.И.¹

¹Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина Fed’kovich Chernovtsy National University, Chernovtsy, Ukraine

Email: rektor@chnu.cv.ua

Поступила в редакцию: 20 августа 2002 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы поверхностно-барьерные фотодиоды, полученные вакуумным напылением полупрозрачного слоя золота на монокристаллы Hg₃In₂Te₆. Приведены вольт-амперные характеристики при температурах 5-50^oC и спектры фоточувствительности в актуальном для волоконно-оптической связи диапазоне 0.6-1.8 mum. Механизмы переноса заряда интерпретируются в рамках генерации-рекомбинации в области пространственного заряда диодной структуры.

Streetman B.G., Banerjee S. Solid State Electronic Devices. 5^th ed. New Jersey: Prentice Hall, 2000
Малик А.И., Грушка Г.Г., Тевс Н.Р. // ЖТФ. 1990. Т. 60. Вып. 6. С. 146--147
Малик А.И., Грушка Г.Г. // ЖТФ. 1990. Т. 60. Вып. 10. С. 188--190
Грушка Г.Г., Грушка З.М., Говалешко Н.П. // УФЖ. 1985. Т. 30. N 2. С. 304--307
Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973
Products of GPD Optoelectronics Corp. http://www.gpd-ir.com
Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984
Sah C., Noyce R., Shockley W. // Proc. IRE. 1957. Vol. 45. P. 1228
Косяченко Л.А., Махний В.П., Потыкевич И.В. // Укр. физ. журн. 1978. Т. 23. N 2. C. 279

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель