Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование полярно-чувствительных входных вольт-амперных характеристик симисторной структуры
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия 
Email: soy@sv.uven.ru
Поступила в редакцию: 11 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.
Получено семейство входных вольт-амперных характеристик структуры планарно-диффузионного симистора. Предложено объяснение механизма формирования на входной характеристике N-образного участка. Показано, что входная N-образная характеристика в зависимости от полярности напряжения на силовых электродах формируется в разных входных цепях симисторной структуры.
- Бакланов С.Б., Гурин Н.Т., Новиков С.Г. // Изв. вузов. Электроника. 1997. N 6. С. 49--59
- Воронцов С.И., Бакланов С.Б., Гурин Н.Т., Новиков С.Г. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. Вып. 19. С. 37--42
- Гаряинов С.А., Абезгауз И.Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением. М.: Энергия, 1970. 320 с
- Колосов А.А., Горбунов Ю.И., Наумов Ю.Е. Полупроводниковые твердые схемы. М.: Сов. радио, 1965. 500 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
