Вышедшие номера
Усиление потока электронов с помощью алмазной мембраны
Гаврилов С.А., Дзбановский Н.Н., Ильичев Э.А., Минаков П.В., Полторацкий Э.А., Рычков Г.С., Суетин Н.В.1
1Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: polt@niifp.ru
Поступила в редакцию: 20 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Рассматривается вторичная электронная эмиссия (ВЭЭ) из алмазных пленок, выполненных в виде мембран толщиной 2.5-5 mum. ВЭЭ исследуется в двух режимах: в режиме "на отражение", когда вторичные электроны выходят с поверхности мембраны, на которую падают первичные электроны, и в режиме "на прострел", когда вторичные электроны выходят с поверхности, противоположной поверхности, на которую падают первичные электроны. Оценка коэффициента ВЭЭ производится на основе анализа поведения в твердом веществе электронов с энергией 0.1-30 keV. Показано, что в случае "на отражение" коэффициент ВЭЭ может быть более 100 при энергиях порядка 3 keV, а в случае "на прострел" он не превышает 5 даже при энергиях 30 keV. Для улучшения эмиссионных свойств мембран при работе "на прострел" предложен ряд конструкций, в частности пористые мембраны, которые позволяют получить характеристики, близкие к характеристикам при работе "на отражение". Приведены экспериментальные результаты, согласующиеся с расчетными данными, и описана технология получения алмазных мембран, в том числе и пористых.