Устройство пирометрического контроля температуры подложки GaAs для установки молекулярно-лучевой эпитаксии
Александров С.Е., Гаврилов Г.А., Капралов А.А., Сотникова Г.Ю., Черных Д.Ф., Алексеев А.Н., Дудин А.Л., Коган И.В., Шкурко А.П.1
1Закрытое акционерное общество Научное и технологическое оборудование, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 января 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.
Рассматривается оптический пирометр, специально разработанный для прецизионного контроля температуры GaAs подложки во время эпитаксиального роста в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Особенностью разработанного устройства является возможность его калибровки на некоторую характерную абсолютную температуру, определяемую визуально по изменению картины дифракции быстрых электронов (ДБЭ). Это позволяет рассчитать абсолютную температуру подложки с учетом ее излучательной способности и свести к минимуму погрешности определения температуры по излучению, связанные с запылением пирометрического окна установки ростовыми материалами.
- Chaly V.P., Demidov D.M., Fokin G.A. et al. // J. Crystal Growth. 1995. Vol. 150. P. 1350--1353
- Strite S., Kamp M., Meier H.P. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1995. Vol. 13 (2). P. 290--292
- Boebel F.G., Moller H., Hertel B. et al. // J. Crystal Growth. 1995. Vol. 150. P. 54--61
- Green S. // European Semiconductor. 2000. Vol. 22. N 1. P. S-35--S-37.
- Вольф Борн. Основы оптики. М.: Наука, 1970. 856 с
- Cho A.Y., Tracy J.C. U.S. Patent 3969164
- Dabrian A.M., Cohen P.I. // J. of Crystal Growth. 1995. Vol. 150. P. 23--27
- Александров С.В., Алексеев А.Н., Демидов Д.М. и др. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. Вып. 16. С. 71--78
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук