Определение толщины базы вертикальных n-p-n-транзисторов И2Л элементов по напряжению "прокола" базы
Шутов С.В.1, Фролов А.Н.1, Литвиненко В.Н.1, Фролов А.А.1
1Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 16 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.
Предложен и экспериментально проверен метод определения толщины базовых областей n-p-n-транзисторов И2Л элементов по заданному напряжению "прокола" базы. Изготовлены и исследованы И2Л элементы.
- Гребен А.Б. Проектирование аналоговых интегральных схем. М.: Энергия, 1976. 235 с
- Трутко А.Ф. Методы расчета транзисторов. М.: Энергия, 1971. 272 с
- Марончук И.Е., Фролов А.Н., Шутов С.В. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 2001. N 11. С. 66--70
- Аваев Н.А., Дулин В.Н., Наумов Ю.Е. Большие интегральные схемы с инжекционным питанием. М.: Сов. радио, 1977. 248 с
- Самойлов Н.А., Фролов А.Н., Шутов С.В. // ЖТФ. 1998. Т. 68. Вып. 10. С. 136--137
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Т. 1. 456 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
