Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Индуцированные состояния сегнетоэлектрика с одинаковой диэлектрической проницаемостью

Прудан А.М.¹, Козырев А.Б.¹, Земцов А.В.¹

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Email: f@eltech.ru

Поступила в редакцию: 11 августа 2003 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование условий формирования электрическим полем состояний сегнетоэлектрика, которые соответствуют разным температурам параэлектрической области, но неразличимы по диэлектрической проницаемости. Получены данные о температурной зависимости напряженности управляющего поля, индуцирующего такие состояния, и о ширине интервала (varepsilon_min...varepsilon_max) реализуемых значений диэлектрической проницаемости. Проанализирован эффект пересечения varepsilon(E,T_i)-характеристик сегнетоэлектрика, находящегося в параэлектрическом состоянии. Показано, что согласование управляющего поля с температурой обеспечивает постоянство заданного значения проницаемости (varepsilon_i) пленочных образцов титаната стронция и твердого раствора титанат бария-титанат стронция в широком (200...320 K) температурном диапазоне при сохранении возможности более чем двукратного изменения ее величины (varepsilon_i) электрическим полем.

Vendik O.G., Golman E.K., Kozyrev A.B. et al. // J. Superconductivity. 1999. Vol. 12. N 2. P. 325--338
Прудан А.М. Автореферат. Многослойные структуры на эффекте сильного поля в сегнетоэлектрических пленках. СПб., 2002. 32 с
Белокопытов Г.В., Бузин И.М., Иванов И.В. и др. // ФТТ. 1981. Т. 23. Вып. 1. С. 141--146
Dec J., Kleemann W., Westwanski B. // J. Phys. 1999. Vol. 11. P. L379--L383
Worlock J.M., Fleury P.A. // Phys. Rev. Lett. 1967. Vol. 19. N 20. P.1176--1181
Гольман Е.К., Логинов В.Е., Прудан А.М. и др. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. Вып. 21. С. 84--88
Гольман Е.К., Гольдрин В.И., Логинов В.Е. и др. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 14. С. 1--5
Вендик О.Г., Зубко С.П., Никольский М.А. // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 4. С. 1--9
Dougherty K., Drab J., Brand M. et al. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2002. Vol. 720. P. H2.3.1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель