Незаполненные электронные состояния и формирование интерфейca пленок олиго(фенилен-винилена) с поверхностью Ge(111)
Комолов А.С.1
1Cанкт-Петербургский государственный университет Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербург, Россия Department of Chemistry, University of Copenhagen, D, Copenhagen, Denmark
Email: akomolov@kiku.dk
Поступила в редакцию: 25 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.
Тонкие пленки три-олиго(фенилен-винилена), замещенного ди-бутил-тиолом (tOPV), были нанесены на Ge(111) и подложку в условиях высокого вакуума. Потенциал поверхности и структура незаполненных электронных состояний (DOUS) в интервале энергий 5-20 eV выше уровня Ферми (EF) измерялись в процессе нанесения пленок посредством пучка низкоэнергетических электронов в соответствии с методом спектроскопии полного тока (TCS). Электронная работа выхода поверхности изменялась в процессе нанесения пленок и достигла стабильного значения 4.3± 0.1 eV при толщине tOPV пленок 8-10 nm. Нанесению tOPV пленок до 3 nm соотвествовало появление промежуточной DOUS, а при дальнейшем нанесении пленок до 8-10 nm следовало изменение DOUS. Наличие промежуточной DOUS связывается с существенным изменением электронной структуры tOPV вследствие взаимодействия с поверхностью Ge(111). Анализ TCS данных позволил определить зоны незаполненных состояний в tOPV: 5.5-6.5 и 7.5-9.5 eV выше EF как pi*-зоны и 11-14 и 16-19 eV выше EF как sigma*-зоны.
- Burroughes J.H., Bradley D.D.C., Brown A.R. et al. // Nature. 1990. Vol. 347. P. 539--544
- Fahlman M., Salaneck W.R. // Surf. Sci. 2002. Vol. 500. P. 904--922
- Salaneck W.R., Logdlund M., Fahlman M. et al. // Materials Science and Engineering. 2001. Vol. R34. P. 121--133
- Greczynski G., Kugler T., Salaneck W.R. // Cur. Appl. Phys. 2001. Vol. 1. P. 98--112
- Siokou A., Papaefthimiou V., Kennou S. // Surf. Sci. 2001. Vol. 482--485. P. 1186--1191
- Seki K., Hayashi N., Oji H. et al. // Thin Solid Films. 2001. Vol. 393. P. 298--303
- Hill I., Milliron D., Schwartz J., Kahn A. // Appl. Surf. Sci. 2000. Vol. 166. P. 354--362
- McCaldin J.O. // Prog. in Solid St. Chem. 1998. Vol. 26. P. 241--265
- Bent S.F. // Surf. Sci. 2002. Vol. 500. P. 879--903
- Комолов А.С. // ФТТ. 2001. Т. 43. Вып. 2. С. 379--382
- Strocov V.N., Starnberg H.I. // Phys. Rev. 1995. Vol. B52. P. 8759--8765
- Komolov S.A. // Total Current Spectroscopy of Surfaces. Philadelphia: Gordon and Breach, 1992. 257 p
- Komolov A.S., M ller P.J. // Synth. Met. 2002. Vol. 128. P. 205--210
- Tao Y., Donat-Bouillud A., D'Iorio M. et al. // Thin Solid Films. 2000. Vol. 363. P. 298--301
- Rivi\`ere J.C. // Solid state surface science / Ed. Green M. New York: Marcel Dekker, 1969. Vol. 1. P. 180--303
- Barlos I. // Progr. Surf. Sci. 1998. Vol. 59. P. 197
- Schafer A.M., Schluter M., Skibowski M. // Phys. Rev. B. 1987. Vol. B35/14. P. 7663--7670
- Stuhr-Hansen N., Christensen J.B., Harrit N., Bj rnholm T. // J. Org. Chem. 2003. In press
- Hitchcock A.P., Newbury D.C., Ishii I. et al. // J. Phys. Chem. 1986. Vol. 85. P. 484--491
- Taborski J., Vaterlein P., Zimmermann U., Umbach E. // J. Electron Spectr. Rel. Phen. 1995. Vol. 75. P. 129--137
- Lin R., Galili M., Quaade U.J. et al. // J. Chem. Phys. 2002. Vol. 117. P. 321--329
- Stohr J. // NEXAFS Spectroscopy. Berlin: Springer, 1996. 389 p
- Oji H., Mitsumoto R., Ilo E. et al. // J. Chem. Phys. 1998. Vol. 109. P. 10 409--10 417
- Komolov A.S., M ller P.J. // Synthetic Metals. 2003. Vol. 138. P. 119--123
- Hill I.G., Schwartz J., Kahn A. // Organic Electr. 2000. Vol. 1. P. 5--13
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук