Вышедшие номера
Влияние объемного заряда эмиттированных электронов на полевую электронную эмиссию
Павлов В.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vpavlov@ms.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 24 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.

Показано, что обычно применяемый метод подстановки вычисленной с помощью уравнения Пуассона напряженности поля на границе объемного заряда с эмиттером в формулу Фаулера-Нордгейма приводит к значительному завышению влияния объемного заряда на полевую электронную эмиссию. Зависимость ослабления поля объемным зарядом от плотности эмиссионного тока и радиуса кривизна поверхности эмиттера определяется с использованием модели плоского слоя объемного заряда. Утверждается, что модель сферического диода для полевой электронной эмиссии непригодна из-за введения несуществующего в реальных условиях объемного заряда с обратной стороны от эмиттирующей поверхности. Обосновывается необходимость учитывать дискретность зарядов при рассмотрении объемного заряда в полевой электронной эмиссии, поскольку среднее расстояние между эмиттированными электронами значительно превышает ширину эмиссионного барьера.