Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электронная структура интерфейсов PTCDA/GaAs и NTCDA/GaAs
1Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия 
Поступила в редакцию: 26 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.
Были проведены исследования процесса формирования интерфейсов между органическими полупроводниковыми материалами PTCDA и NTCDA и поверхностью монокристалла GaAs (100). Применение спектроскопии полного тока позволило проследить особенности формирования интерфейсной электронной структуры. Между обоими органическими материалами и подложкой GaAs образуется связь за счет затягивания на подложку pi-электронного облака ароматического ядра молекул. При этом наблюдаются модификация соответствующих электронных состояний молекул интерфейсного слоя, а также возникновение диполя на интерфейсе.
- Forrest S.R. // Chem. Rev. 1997. Vol. 97. N 6. P. 1793--1896
- Komolov S.A., Aliaev Y.G. // Colloids and Surfaces A. 2004. N 239. P. 55--58
- Komolov S.A., Aliaev Y.G. // Phys. Low-Dim. Struct. 2002. Vol. 9/10. P. 55--63
- Komolov S.A., Aliaev Y.G. // Phys. Low-Dim. Struct. 2003. Vol. 5/6. P. 87--98
- Komolov S.A., Gerasimova N.B., Aliaev Y.G. et al. // Phys. Low-Dim. Struct. 2002. Vol. 1/2. P. 253--260
- Hirose Y., Wu C.I., Aristov V. et al. // Appl. Surf. Sci. 1997. Vol. 113/114. P. 291--298
- Gador D., Buchberger C., Fink R. et al. // J. El. Spectr. and Rel. Phen. 1998. Vol. 96. P. 11--17
- Hill I.G., Schwartz J., Kahn A. // Org. El. 2000. Vol. 1. P. 5--13
- Hirose Y., Chen W., Haskal E.I. et al. // Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. N 25. P. 3482--3484
- Комолов С.А. Интегральная вторично-электронная спектроскопия поверхности. Л.: Изд-во ЛГУ, 1986. 180 с
- Gerasimova N.B., Komolov S.A., Aliaev Y.G. et al. // Phys. Low-Dim. Struct. 2001. Vol. 1/2. P. 119--125
- Комолов С.А., Галат Я. // Вестник ЛГУ. 1982. N 4. С. 24--29
- Комолов С.А., Герасимова Н.Б., Сидоренко А.Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. Вып. 24. С. 80--88
- Komolov S.A., Gerasimova N.B., Sidorenko A.G. et. al. // Phys. Low-Dim. Struct. 2001. Vol. 7/8. P. 93--99
- Комолов С.А., Лазнева Э.Ф., Комолов А.С. и др. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. Вып. 23. С. 13--19
- Komolov S.A., Gerasimova N.B., Morozov A.O. // Phys. Low-Dim. Struct. 1997. Vol. 10. P. 35--40
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
