Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структура и свойства магниторезистивной керамики, толстой и тонкой пленки La0.6Sr0.3Mn1.1-xFexO3±delta
Пащенко В.П., Ревенко Ю.Ф., Пащенко А.В., Прокопенко В.К., Шемяков А.А., Турченко В.А., Носанов Н.И., Волков В.И., Ищук В.М., Чуканова И.Н., Бажин А.И., Пащенко В.В.1
1Донецкий национальный университет, Донецк, Украина 
Email: bazhin@dongu.donetsk.ua
Поступила в редакцию: 26 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.
Рентгеноструктурным, ядерно-магнитно-резонансным (ЯМР) 55Mn, резистивным и магнитным методами исследованы магниторезистивные керамические, толстопленочные и тонкопленочные образцы La0.6Sr0.3Mn1.1-xFexO3±delta (x=0 и 0.04). Установлено, что ромбоэдрически искаженная (R3c) перовскитовая структура содержит анионные, катионные вакансии и наноструктурные дефекты кластерного типа. Широкие асимметричные спектры ЯМР 55Mn подтвердили высокочастотный электронно-дырочный обмен между Mn3+ и Mn4+ и неэквивалентность их окружения, обусловленную высокой дефектностью и неоднородностью структуры. Легирование железом и повышение температуры отжига приводит к уменьшению температур фазовых переходов металл-полупроводник, ферро-парамагнетик и увеличению магниторезистивного эффекта. Низкополевой магниторезистивный эффект в низкотемпературной области (~100 K) в керамике и толстой пленке объяснен туннелированием на межкристаллитных границах. Анализ влияния железа и температуры отжига на энергию активации подтвердил вывод о сложном характере дефектности перовскитовой структуры и наличии нескольких механизмов активационных процессов.
- Troyanchuk I.O., Trukhanov S.V., Szymczak H. et al. // JETF. 2001. Vol. 120. N 1 (7). P.183--190
- Khartsev S.I., Johnsson P., Grishin A.M. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 87. N 5. P. 2394--2399
- Mandal P., Ghosh B. // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 68. P. 014 422
- Волков Н.В., Петраковский Г.А., Васильев В.Н. и др. // ФТТ. 2002. Т. 44. Вып. 7. С. 1290--1294
- De Marzi G., Popovic Z.V., Cantarero A. et al. // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 68. P. 064 302
- Akimoto T., Maruyama Y., Moritomo Y. et al. // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 57. P. R5594--R5597
- Young Suk Cho, Jion Seok Hwang-Bo, Yeon Hee Kin et al. // JMMM. 2001. Vol. 226--230. P. 754--756
- Товстолыткин А.И., Погорелый А.Н., Лемненко И.В. и др. // ФТТ. 2003. Т. 45. Вып. 10. С. 1857--1861
- Нагаев Э.Л. // УФН. 1996. Т. 166. N 8. С.833--858
- Каган М.Ю., Кугель К.И. // УФН. 2001. Т. 171. N 6. С. 577--596
- Sancher M.C., Subias G., Garsia G. et al. // Phys. Rev. Lett. 2003. Vol. 90. P. 045 503-1--045 503-4
- Marques R.F.C., Jafelicci J.Z., Paiva-Santos C.O. et al. // JMMM. 2001. Vol. 226--230. P. 812--814
- Guo-meng Zhao, Condez K., Keller H. et al. // Phys. Rev. B. 1999. Vol. 60. P.11 914--11 917
- Vincent H., Audiez M., Pignard S. et al. // JMMM. 2001. Vol. 226--230. P. 768--790
- Кучеренко С.С., Пащенко В.П., Поляков П.И. и др. // ФНТ. 2001. Т. 27. N 7. С. 761--766
- Пащенко В.П., Харцев С.И., Черенков О.П. и др. // Неорган. материалы. 1999. Т. 35. N 12. С. 1509--1516
- Дьяконов В.П., Пащенко В.П., Зубов Э.Е. и др. // ФТТ. 2003. Т. 45. Вып. 5. С. 870--876
- Довгий В.Т., Линник А.И., Пащенко В.П. и др. // Письма ЖТФ. 2003. Т. 29. Вып. 14. С. 81--86
- Пащенко В.П., Кучеренко С.С., Поляков П.И. и др. // ФНТ. 2001. Т. 77. N 12. С. 1010--1013
- Medvedeva I.V., Barner K., Rao G.H. et al. // Physica B. 2000. Vol. 292. P. 250--256
- Пащенко В.П., Прокопенко В.К., Шемяков А.А. и др. // Металлофиз., новейшие технол. 2000. Т. 22. N 12. С. 18--25
- Bazela W., Dyakonov V., Pashchenko V. et al. // Phys. Stat. Sol. (b). 2003. Vol. 236. P. 458--461
- Zubov E., Dyakonov V.P., Szymczak H. // JETF. 2002. Vol. 95. N 6. P. 1044--1055
- Пащенко В.П., Kakazei G., Шемяков А.А. и др. // ФНТ. 2004. Т. 30. N 3--4. С. 403--410
- Волков Н.В., Петраковский Г.А., Васильев В.Н. и др. // ФТТ. 2002. Т. 44. Вып. 7. С. 1290--1294
- Попов Ю.Ф., Кадомцева А.М., Воробьев Г.П. и др. // ФТТ. 2004. Т. 46. Вып. 7. С. 1214--1216
- Chen G.J., Chang Y.H., Hsu H.W. // JMMM. 2000. Vol. 219. P. 317--324
- Prokhorov V.G., Kaminsky G.G., Komashko V.A. et al. // Fizika Nazkikh Temperatur. 2003. Vol. 29. N 8. P. 885--888
- Ланг И.Г., Фирсов Ю.А. // ЖЭТФ. 1962. Т. 43. Вып. 5 (11). С. 1843--1860
- Фирсов Ю.А. // ФТТ. 1963. Т. 5. Вып. 8. С. 2149--2169
- Дубинин С.Ф., Архипов В.Е., Теплоухов С.Г. и др. // ФТТ. 2003. Т. 45. Вып. 12. С. 2192--2197
- Кугель К.И., Рахманов А.Л., Сбойчаков А.О. и др. / ЖЭТФ. 2004. Т. 125. Вып. 3. С. 648--658
- Mott N.F. // Advances in Physics. 2001. Vol. 50. N 7. P. 865--945
- Метфессель З., Маттис Д. Магнитные полупроводники. М.: Мир, 1972. 405 с
- Coey J.M.D., Virets M., von Molnar S. // Advances in Physics. 1999. Vol. 48. N 2. P. 167--293
- Von Molnar S., Methfessel S. // J. Appl. Phys. 1967. Vol. 38. N 3. P. 959--964
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
