Вышедшие номера
Влияние интерфейсного s-d-рассеяния на транспорт в структурах ферромагнетик/диэлектрик/ферромагнетик
Игнатенко С.А.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Email: s2ign@tut.by
Поступила в редакцию: 13 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.

Разработана двухзонная s-d-модель на основе метода функций Грина для расчета проводимости и туннельного магнитосопротивления структур ферромагнетик/диэлектрик/ферромагнетик. На примере Fe/Al2O3/Fe показано, что s-d-рассеяние на границе раздела между ферромагнетиком и диэлектриком приводит к увеличению туннельного магнитосопротивления. Степень спиновой поляризации тока при этом уменьшается и даже становится отрицательной, что в основном связано с рассеянием сильно локализованных d-электронов в s-зону и последующим туннелированием сквозь диэлектрик. PACS: 71.10.Fd, 72.10.-d, 72.10.Fk, 72.25.Ba, 72.25.Mk, 73.40.Rw