Состояние поверхности и эмиссия электронов с холодных катодов в вакууме и в тлеющем разряде в благородных газах
Бохан П.А.1, Закревский Дм.Э.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: zakrdm@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 16 января 2006 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.
В газовом разряде оптогальваническим методом измерен коэффициент фотоэмиссии gammaph под действием резонансного излучения атомов гелия. Диапазон рабочих токов j/P2He от 2 до 1000 muA/cm2·Torr2 (j - плотность тока, PHe - давление газа) и напряженности поля на катоде E/N от 0.45 до 13 kTd (1 Td=10-17 V·cm2). До j/PHe2=10 muA/cm2·Torr2 наблюдается рост gammaph с дальнейшим насыщением на уровне gammaph=0.3±0.01. В отсутствие разряда gammaph=0.35±0.05. Сделан вывод о том, что эмиссионные свойства холодных катодов в газовом разряде определяются адсорбцией рабочего газа поверхностью катода и имплантацией рабочего газа в катод. С учетом этого пересмотрен вклад фотоэмиссии в ток разряда. Показано, что во всех благородных газах в нормальном и слабо аномальном разрядах при диаметре катода dc>> lc (lc - длина области катодного слоя) разряд носит преимущественно фотоэлектронный характер. В легких благородных газах фотоэлектронный характер разряда сохраняется и для глубоко аномального разряда. С учетом имплантации атомов в катод рассчитана зависимость от энергии коэффициента gamma кинетической и потенциальной эмиссии для атомов гелия и проведено сравнение с имеющимися данными. Оценено влияние имплантации на величину gamma в вакууме. PACS: 79.60.-i
- Phelps A.V. // Plasma Sources Sci. Technol. 2001. Vol. 10. N 2. P. 329--343
- Kovalev A.S., Mankelevich Yu.A., Muratov E.A. et al. // J. Vac. Sci. Techn. 1992. Vol. 10. N 4. P. 1086--1091
- Hartmann P., Matsuo H., Ohtsuka Y. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2003. Vol. 42. P. 1. N 6A. P. 3633--3640.
- Phelps A.V., Petrovic Z.L. // Plasma Sources Sci. Techn. 1999. Vol. 8. N 3. P. R21--R44
- Hayden H.C., Utteback N.G. // Phys. Rev. A. 1964. Vol. 135. N 6A. P. 1575--1579
- Hartmann P., Donko Z., Bano G. et al. // Plasma Sources Sci. Technol. 2000. Vol. 9. P. 183--190
- Phelps A.V., Pichford L.C., Redoussat C. et al. Plasma Sources Sci. Techn. 1999. Vol 8. N 4. P. B1--B2
- Azarov A.V., Ochkin V.N. // J. Russ. Las. Res. 2004. Vol. 25. N 2. P. 138--155
- Ульянов К.Н., Чулков В.В. // ЖТФ. 1988. Т. 58. Вып. 2. С. 328--334
- Bokhan A.P., Bokhan P.A., Zakrevsky D.E. // Appl. Phys. Lett. 2005. Vol. 86. N 15. P. 151 503--151 505
- Бохан А.П., Бохан П.А., Закревский Дм.Э. // ЖТФ. 2005. Т. 75. Вып. 9. С. 126--128
- Holstein T. // Phys. Rev. A. 1951. Vol. 83. N 6. P. 1159--1168
- Molisch A.F., Dehry B.P., Schuptia W. et al. // J. Quant. Spectr. Radiat. Transfer. 1993. Vol. 49. N 4. P. 361--370
- Бохан А.П., Бохан П.А., Закревский Дм.Э. // Физика плазмы. 2006. Т. 32. N 7. С. 599--612
- Бохан А.П., Сорокин А.Р. // Письма в ЖТФ. 1982. Т. 18. Вып. 15. С. 947--950
- Oberoi R.S., Nesbet R.K. // Phys. Rev. A. 1973. Vol. 8A. N 6. P. 2969--2979
- Райзер Ю.П. Физика газового разряда. М.: Наука, 1987. 591 с
- Грановский В.Л. Электрический ток в газе. М.: Наука, 1971. 543 с
- Ganter R., Ouyng J., Callegari Th. et al. // J. Appl. Phys. 2002. Vol. 91. N 3. P. 992--1007
- Nakamura K., Ando M., Sugai H. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. 2003. Vol. 206B. P. 798--802
- Radu I., Bartnikas R., Werteimer M.R. // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 95. P. 5994--6006
- Клярфельд Б.Н., Москалев Б.Н. // ЖТФ. 1969. Т. 39. Вып. 6. С. 1066--1069
- Boeuf J.P. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2003. Vol. 36. P. R53--R79
- Lee H.J., Verboncoeur J.P. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 90. N 10. P. 4957--4965
- Бохан П.А., Закревский Дм.Э. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. Вып. 20. С. 81--87
- Бохан А.П., Бохан П.А. // Оптика атмосферы и океана. 2002. Т. 15. N 3. С. 216--227
- Kompter V., Veith F., Zehnle L. // J. Phys. B: At. Mol. Phys. 1975. Vol. 8. N 7. P. 1041--1052
- Okasaka R., Konishi Y., Sato Y. et al. // J. Phys. B: At. Mol. Phys. 1987. Vol. 20. N 21. P. 3771--3787
- Kompter V., Riecke G., Vieth F. et al. // J. Phys. B: At. Mol. Phys. 1976. Vol. 9. P. 3081--3097
- Ganyacq J.P. // J. Phys. B: At. Mol. Phys. 1976. Vol. 9. N 17. P. 2289--2305
- Lakits G., Aumayr F., Heim M. et al. // Phys. Rev. A. 1990. Vol. 42. N 9. P. 5780--5783
- Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966. 564 с
- Hagstrum H.G. // Rev. Sci. Instr. 1953. Vol. 24. N 13. P. 1122--1142
- Hagstrum H.G. // Phys. Rev. A. 1956. Vol. 104. N 2. P. 317--318
- Uhm H.S., Choi E.H., Lim J.Y. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80. N 5. P. 737--739
- Баранов И.Я. // Физика плазмы. 2002. Т. 28. N 1. С. 77--83.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.