Ударно-тепловой механизм захвата горячих электронов в сильных скрещенных электромагнитных полях
Качлишвили З.С.1, Хизанишвили Э.Г.1, Хизанишвили М.Г.1, Дидберидзе Т.О.1
1Тбилисский государственный университет им. И. Джавахишвили, Тбилиси, Грузия
Email: esma@tsu.ge
Поступила в редакцию: 7 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.
Исследовано действие ударно-теплового механизма захвата в скрещенных электромагнитных полях ( E normal H). Установлены области электрических и магнитных полей, в которых рассмотрение этого механизма можно считать справедливым. Вычислены соотношения коэффициентов рекомбинации, соответствующих ударно-тепловому и лэксовскому механизмам захвата, при разных степенях компенсации. Вычисления проводились при низкой температуре (T=4.2 K), для n-типа образцов. PACS: 72.20.Jv
- Качлишвили З.С., Хизанишвили М.Г., Хизанишвили Э.Г. // ЖТФ. 2004. Т. 74. Вып. 2. С. 13
- Гантмахер В.Ф., Левинсон И.Б. Рассеяние носителей тока в полупроводниках. М.: Наука. 1984. С. 304
- Kachlishvili Z.S. // Phys. Stat. Sol (a). 1976. Vol. 33. P. 15
- Вайнштейн Л.А., Собельман И.И., Юков Е.А. Возбуждение атомов и уширение спектральных линий. М.: Наука, 1979
- Gegechkory T.O., Jackeli V.G., Kachlishvili Z.S. // Phys. Stat. Sol. (b). 1982. Vol. 112. N 2. P. 379
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук