Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2007, выпуск 2 » Статья стр. 140
<<<
Механизм протекания тока в сплавном омическом контакте In--GaAs
Бланк Т.В.1, Гольдберг Ю.А.1, Константинов О.В.1, Никитин В.Г.1, Поссе Е.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: tblank@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.
PDF версия
Изучен механизм протекания тока в сплавном In омическом контакте к слаболегированному арсениду галлия (n=4·1015 cm-3). Из зависимости сопротивления контакта, приведенного к единице площади, от температуры было установлено, что основным механизмом протекания тока является термоэлектронная эмиссия через потенциальный барьер высотой 0.03 eV. PACS: 72.80.-r
  1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984 (Пер. с англ.: Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices. New York: Wiley, 1981)
  2. Carpenter M.S., Melloch M.R., Lundstrom M.S., and Tobin S.P. // Appl. Phys. Lett. 1988. Vol. 52. N 25. P. 2157
  3. Holloway P.H., Kim T.J., Trexler J.T. et al. // Appl. Surf. Sci. 1997. Vol. 117/118. P. 362
  4. Shih Y.-Ch., Murakami M., Wilkie E.L., and Callegari A.C. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 62. N 2. P. 582
  5. Lim J.W., Mun J.K., An S.J. et al. // J. Appl. Phys. p.1-Reg. Pap. Short Notes \& Rev. Pap. J. Korean Phys. Soc. 2000. Vol. 39. N 5a. P. 2546
  6. Oktyabrsky S., Aboelfotoh M.O., Narayan J. // J. Electr. Mat. 1996. Vol. 25. N 11. P. 1673
  7. Lee H.S., Cole M.W., Lareau R.T. et al. // J. Appl. Phys. 1992. Vol. 72. N 10. P. 4773
  8. Ghita R.V., Logofatu C., Negrila C. et al. // J. Optoel. and Acv. Mat. 2005. Vol. 7. N 6. P. 3033
  9. Wu C.H., Liao S.M., Chang K.C. // Mat. Sci. and Engin. B-Sol. St. Mat. for Adv. Tech. 2005. Vol. 117. N 2. P. 205
  10. Chen N.-P., Ueng H.J., Janes D.B. et al. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 88. N 1. P. 309
  11. Shimawaki H., Furuhata N., Honjo K. // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 69. N 11. P. 7939
  12. Katz A., Nakahara S., Savin W., and Weir B.E. // J. Appl. Phys. 1990. Vol. 68. N 8. P. 4133
  13. Zhou J., Xia G., Li B., Liu W. // Appl. Phys. A --- Mat. Sci. and Proc. 2003. Vol. 76. N 6. P. 939
  14. Shiraishi Y., Furuhata N., and Okamoto A. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 76. N 9. P. 5099
  15. Uchibori C.J., Oku T., Kameya N. et al. // Mat. Transact. JIN. 1996. Vol. 37. N 4. P. 670
  16. Rhoderick E.H. Metal-Semiconductor Contacts. Oxford, 1978
  17. Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Константинов О.В. и др. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. Вып. 19. С. 17--24
  18. Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Константинов О.В. и др. // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 10. С. 1204

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme