Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Аномальная термополевая эмиссия

Птицын В.Э.¹

¹Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Email: ptitsin@iai.rssi.ru

Поступила в редакцию: 31 августа 2006 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.

PDF версия

Проведено исследование полевых эмиссионных свойств ZrO₂/W< 100> наногетероструктуры, образованной тонким (~ 10 nm) слоем ZrO₂ на поверхности острийного микрокристалла W<100>. Установлено, что при температуре вещества наногетероструктуры ~ 2000 K процесс эмиссии электронов возбуждается при низких значениях напряженности экстрагирующего (лапласова) поля (менее ~ 50 V/mum). Показано, что в стационарном режиме электронной эмиссии с поверхности исследованной наногетероструктуры плотность эмиссионного тока может достигать аномально высоких значений (порядка ~ 10⁸ A/cm²). Предложена феноменологическая модель аномальной термополевой эмиссии электронов с поверхности наногетероструктур вида: проводник (металл)-тонкий слой диэлектрика. PACS: 79.60.Jv, 79.70.+q, 79.90.+b, 71.23.An, 73.40.-c, 73.40.Gk, 73.50.-h, 77.55.+f

Модинос А. Авто-термо- и вторично-электронная эмиссионная спектроскопия. М. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1990. 320 с
Ненакаливаемые катоды / Под ред. М.И. Елинсон. М.: Сов. радио, 1974. 336 с
Птицын В.Э. Дисс. ... докт. физ.-мат. наук. СПб.: ИАнП РАН, 1996. 350 с
Птицын В.Э. // Письма в ЖЭТФ. 1992. Т. 55. Вып. 6. С. 325--328
Ptitsin V.E. // Advances in Imaging and Electron Physics / Ed. by P.W. Hawkes. Academic Press, 2000. Vol. 112. P. 165--231
Dyke W.P., Dolan W.W. // Advances in Electronics and Electron Physics. 1956. Vol. 8. P. 88--167
Swanson L.W., and Schwindt G.A. // Handbook of Charged Particle Optics / Ed. by J. Orloff. Roca Raton, FL: CRC Press, 1999. P. 77--102
Гуляев Ю.В. // Вест. РАН. 2003. Т. 73. N 5. С. 389--391
Brau C.F. // Nucl. Instr. Meth. A. 1998. Vol. 407. P. 1--7
Tsai C.C., Foster C.A., Milora S.L. et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1993. Vol. 11 (4). Jul/Aug. P. 1252--1257
Klimenkov M., Matz W., Nepijko S.A., Lehman M. // Nucl. Instr. Meth. B. 2001. Vol. 179. P. 209--214
Patent WO 2005001492 (2005)
Bernard J., Alonso J., Beier T. et al. // Nucl. Instr. Meth. A. 2004. Vol. 532. P. 224--228
Месяц Г.А. Эктоны в вакуумном разряде: пробой, искра, дуга. Наука, 2000. 424 с
Spindt C.A., Brody J., Humphry L., Westerberg E.R. // J. Appl. Phys. 1976. Vol. 47. N 12. P. 5248--5254
Баскин Л.М., Птицын В.Э., Егоров Н.В. и др. // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. Вып. 22. С. 1345--1348
Lerner P., Cutler P.H., Miskovsky N.N. // J. Vac. Sci. Techn. B. 1997. Vol. 15. P. 337--343
Forbes R.G. // Solid State Electronics. 2001. Vol. 45. P. 779--808
Птицын В.Э., Максимов С.В. // Научное приборостроение. 1999. Т. 9. N 4. С. 51--61
Птицын В.Э., Бардин Б.В., Волкова Н.А. и др. // Научное приборостроение. 2004. Т. 14. N 4. С. 3--9
Мюллер Э., Цонг Т. Автоионная микроскопия. М.: Металлургия, 1972. 360 с
Цырлин Г.Э., Тонких А.А., Птицын В.Э. и др. // ФТТ. 2005. Т. 47. С. 58--62
Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах / Под ред. Г.Е. Пикуса. М.: Мир, 1984. Ч. 1. 350 с
Фоменко В.С. Эмиссионные свойства материалов. Справочник. Киев: Наук. думка, 1981. 340 с
Sayan S., Ngyen N.V., Ehrstein J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2005. Vol. 86. P. 152 902--152 902-4
Houssa M., Stesmans A., and Heyns M.M. // Semicond. Sci. and Technol. 2001. Vol. 16. N 6. P. 427--432
Sayan S., Bartynsky R.A., Zhao X., Gusev E.P. et al. // Phys. Stat. Sol. (b). 2004. Vol. 241. N 10. P. 2246--2252
Chang J.P., Lin Y.-S., Berger S., Kepten A. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2001. Vol. 19 (6). P. 2137--2143
Chatterjee S., Nandi S.K., Maikap E. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2003. Vol. 18. P. 92--96
Goossens A., Vazquez M., Macdonald D. // Electrochem. Acta. 1996. Vol. 41. N 1. P. 35--42
Chakraborty S., Bera M.K., Dalapati G.K. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2006. Vol. 21. P. 467--472
Christenko V.A., Meerson E.E., Morokov Yu.N. // Phys. Rev. B. 1997. Vol. 57. P. R2081
Ludeke R. // IBM. J. Res. Develop. 2000. Vol. 44. P. 517--533
Алфёров Ж.И. // УФН. 2002. Т. 172. N 9. С. 1068--1086
Алфёров Ж.И., Копьев П.С., Сурис Р.А. и др. // Нано- и микросистемная техника. 2003. N 8. С. 3--13
Велихов Е.П. // Вестн. РАН. 2003. Т. 73. N 5. С. 395--399

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель