Геометрические эффекты в наноразмерных эпитаксиальных пленках титаната бария-стронция
Мухортов В.М., Колесников В.В., Головко Ю.И., Бирюков С.В., Маматов А.А., Юзюк Ю.И.
Поступила в редакцию: 30 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.
Исследованы наноразмерные (6-950 nm) эпитаксиальные пленки Ba0.8Sr0.2TiO3 на (001) MgO с целью изучения влияния толщины пленки на особенности проявления сегнетоэлектрических свойств. Данные комбинационного рассеяния света и рентгеновской дифрактометрии показывают, что при толщине пленки ~ 70 nm происходит структурный фазовый переход, при котором резко изменяются параметры решетки пленки. Спектры комбинационного рассеяния света наноразмерных пленок подтвердили наличие в них сегнетоэлектрического состояния и изменение симметрии при переходе пленок через критическую толщину, что проявилось в резком смещении пиков, соответствующих A1 (TO) и E (TO) компонентам мягкой моды. В области толщины пленок <100 nm в зависимости диэлектрической проницаемости от толщины появляются два максимума при толщине ~ 18 и ~36 nm. Диэлектрическая нелинейность в области первого максимума существенно больше, чем в области второго. PACS: 52.80.Pi, 63.20.-e, 68.35.Rh, 77.55.+f
- Acikel B., Taylor T.R., Hansen P.J. et al. // IEEE Microwave and Wireless components Letters. 2002. Vol. 12. P. 237--239
- Petrov P.K., Alford N., Govorgian S. // Meas. Sci. Technol. 2004. Vol. 15. P. 1--7
- Hoerman H., Nichols B.M., and Wessels B.W. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 65. P. 224 110-1--224 110-5
- Nagarajan V., Jia C.L., Kohlstedt H. et al. // Appl. Phys. Lett. 2005. Vol. 86. P. 192 910-1--192 910-3
- Перцев Н.А., Емельянов А.Ю. // ФТТ. 1997. Т. 39. Вып. 1. С. 127--134
- Roytburd A.L., Zhong S., and Alpay S.P. // Appl. Phys. Lett. 2005. Vol. 87. P. 092 902-1--092 902-3
- Li H.-C., Si W., West A.D. et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. Vol. 73. N 4. P. 464--466
- Li H.-C., Roytburd A.L., Alpay S.P. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 78. N 16. P. 2354--2356
- Мухортов В.М., Головко Ю.И., Колесников В.В. и др. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. Вып. 23. С. 75--80
- Mukhortov V.M., Golovko Y.I., Tolmachev G.N. et al. // Ferroelectrics. 2000. Vol. 247. N 1--3. P. 75--83
- Мухортов В.М., Головко Ю.И., Толмачев Г.Н. и др. // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 12. С. 87--91
- Райзер Ю.П., Шнейдер М.Н., Яценко Н.А. Высокочастотный емкостной разряд. М.: Наука, 1995. С. 340
- Yuzyuk Yu.I., Almeida A., Chaves M.R. et al. // Phys. Stat. Sol. (b). 2000. Vol. 222. P. 535--540
- Scalabrin A., Chaves A.S., Shim D.S. et al. // Phys. Stat. Sol. (b). 1977. Vol. 79. P. 731--742
- Yuzyuk Yu.I., Simon P., Alyoshin V.A. et al. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 66. P. 052 103-1--052 103-4
- Вендик О.Г., Зубко С.П., Николький М.А. // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 4. С. 1--7
- He F., Wells B.O., Ban Z.-G. // Phys. Rev. B. 2004. Vol. 70. P. 235 405-1--235 405-10
- Alpay S.P., Misirlioglu I.B., Sharma A. et al. // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 95. N 12. P. 8118--8123
- Li C., Chen Z., Cui D. et al. // Appl. Phys. 1999. Vol. 86. P. 4555--4561
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук