Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2007, выпуск 12 » Статья стр. 61
<<<>>>
Изменение поверхности эмиттера при полевой электронной эмиссии большой плотности тока с трехгранного угла <111> перестроенного вольфрамового острия
Бернацкий Д.П.1, Павлов В.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bernatskii@ms.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 13 февраля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.
PDF версия
С использованием метода полевой десорбционной микроскопии непрерывного действия изучено изменение формы эмиттера и эмиссионных характеристик при полевой электронной эмиссии большой плотности тока с атомарно острого трехгранного угла <111> перестроенного в электрическом поле вольфрамового острия. Основные изменения формы острия и наклона характеристики Фаулера-Нордгейма происходят при эмиссионном токе 1-5 muA. При токе с угла 50-100 muA форма острия и эмиссионные характеристики стабилизируются и в дальнейшем не изменяются в интервале 0-150 muA. Новая форма острия характеризуется расширением ребер угла, появлением на них ступеней плоскостей 112 и 001, уменьшением размеров образующих грани угла плоскостей 011, появлением ступенчатых переходных областей между гранями 011, 001 и 112. Происходящие изменения формы связываются с более слабым полем при эмиссии, чем при предварительной перестройке острия, ослаблением поля пространственным зарядом эмитированных электронов и неоднородным распределением температуры по острию. PACS: 68.37.Vj
  1. Benjamen M., Jenkins R.O. // Proc. Roy. Soc. Lnd. 1940. Vol. A 176. P. 262
  2. Bettler P.C., Charbonnier F.M. // Phys. Rev. 1960. Vol. 119. P. 85
  3. Шредник В.Н. Рост кристаллов. М.: Наука, 1980. Т. 13. С. 68
  4. Swanson L.W., Crouser L.C. // J. Appl. Phys. 1969. Vol. 40. Iss. 12. P. 4741
  5. Science of Microscopy / Ed. by P.W. Hawkes, J.C.H. Spence. Springer, 2007. 1318 p
  6. Rokuta E., Itagaki T., Ishikava T., Cho B.-L., Kuo H.-S., Tsong T.T., Oshima C. // Appl. Surf. Sci. 2006. Vol. 252. P. 3686
  7. Yu M.L., Hussey B.W., Kim H.-S., Chang T.H.P., Vac J. // Sci. Technol. 1994. Vol. B 12. P. 3431
  8. Павлов В.Г., Рабинович А.А., Шредник В.Н. // Письма в ЖЭТФ. 1973. Т. 17. С. 247
  9. Шредник В.Н. // Микроэлектроника. 1977. Т. 26. N 2. С. 97
  10. Fursey G.N. // Appl. Surf. Sci. 2003. Vol. 215. P. 113
  11. Bernatski D.P., Pavlov V.G. // Proc. 9th Int. Vac. Microelectron. Conf. St.-Petersburg: Nevskiy Kur'er, 1996. P. 47
  12. Власов Ю.А., Павлов В.Г., Шредник В.Н. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. С. 548
  13. Herring C. // Structure and properties of solid surfaces / Ed. by R. Gomer and C.S. Smith. Chicago: University Press, 1953. P. 5

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme