Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2008, выпуск 1 » Статья стр. 137
<<<
Фоточувствительность и определение высоты барьеров Шоттки в структурах Au-n-GaAs
Мелебаев Д., Мелебаева Г.Д., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.
PDF версия
Исследованы спектры фоточувствительности полученных химическим методом барьеров Шоттки Au-n-GaAs в спектральной области 0.9-2.2 eV. Определена высота барьера как при освещении со стороны полупрозрачного слоя Au, так и со стороны GaAs при T=300 K. Обнаружено, что при освещении структур со стороны GaAs их фоточувствительность в фаулеровской области спектра hnu=0.95-1.25 eV возрастает по сравнению с освещением со стороны барьерного контакта примерно на порядок, что может найти применение при изучении фундаментальных свойств границ раздела металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник, а также при разработке новых приборов полупроводниковой электроники. PACS: 78.20.-e, 29.40.w, 07.85.F
  1. Арсенид галлия в микроэлектронике / Пер. с англ.; под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. М.: Мир, 1988. 555 с
  2. Growell C.R., Spitzer W.G., Howarth L.E., Labate E. // Phys. Rev. 1962. Vol. 127. P. 2006
  3. Fowler R.H. // Phys. Rev. 1931. Vol. 38. P. 45--56
  4. Growell C.R., Spitzer W.G., Howarth L.E., Labate E. // Appl. Phys. Lett. 1962. Vol. 1. P. 3
  5. Kahg D. // IRE Solid-State Device Conf. Durham, New Hampshire, 1962
  6. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов / Пер. с англ.; под ред. Р.А. Суриса. М.: Мир, 1984. 456 с
  7. Mead C.A. // Solid-State Electron. 1966. Vol. 9. N 11/12. P. 1023--1033
  8. Mead C.A., Spitzer W.G. // Phys. Rev. 1964. Vol. 134. P. 713--716
  9. Kahg D. // Bell. Syst. Techn. J. 1964. Vol. 43. P. 215--224
  10. Padovani F.A. // Solid-State Electron. 1968. Vol. 11. P. 193
  11. Yamamato T., Ota Y. // Solid-State Electron. 1968. Vol. 11. P. 219
  12. Вяткин А.П., Максимова Н.К., Поплавной А.С., Степанов В.Е., Чалдышев В.А. // ФТП. 1970. Т. 4. Вып. 5. С. 915--922
  13. Гуткин А.А., Дмитриев М.В., Наследов Д.Н., Пашковский А.В. // ФТП. 1971. Т. 5. Вып. 10. С. 1927--1932
  14. Гольдберг Ю.А., Поссе Е.А., Царенков Б.В. // ФТП. 1975. Т. 9. Вып. 3. С. 513--518
  15. Гольдберг Ю.А., Наследов Д.Н., Царенков Б.В. // ПТЭ. 1971. Вып. 3. С. 207--209
  16. Беркелиев А., Гольдберг Ю.А., Мелебаев Д., Царенков Б.В. // ФТП. 1976. Т. 10. Вып. 8. С. 1532--1534
  17. Торхов Н.Н. // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 10. С. 1205--1214
  18. Мелебаев Д., Назаров Н. // Тр. VI Междунар. научн.-практич. конф. "СИЭТ-2005". Одесса, 2005. С. 280
  19. Кашкаров П.К., Образцов А.Н., Сорокин И.Н., Сосновских Ю.Н. // Неорганические материалы. 1986. Т. 22. N 10. С. 1606--1609
  20. Вигдорович Е.Н., Гольдберг Ю.А., Дурдымырадова М.Г., Мелебаев Д., Царенков Б.В. // ФТП. 1991. Т. 15. Вып. 8. С. 1419--1421
  21. Gard C., Roderick E.H. // J. Phys. D. Appl. Phys. 21971. Vol. 4. P. 1589--1601
  22. Гуткин А.А., Дмитриев М.В., Наследов Д.Н. А.с. СССР N 383125. Б.И. 1973. N 23
  23. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. М., 1991. 528 с
  24. Беркелиев А., Гольдберг Ю.А., Именков А.Н., Мелебаев Д., Розыева М.Х. // Изв. АН ТССР. Сер. ФТХ и ГН. 1986. Вып. 1. С. 8--14
  25. Конников С.Г., Мелебаев Д., Рудь В.Ю., Беркелиев А., Дурдымырадова М.Г., Корнякова О.В. // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. Вып. 4. С. 57--64
  26. Yeh Y.-Ch., Stirn R. // Conf. Rec. 11th IEEE Photovolt. Specialilsts Conf. Scottsdale Ariz. N.Y., 1975. P. 391--397
  27. Okumura T., Tu N.K. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 61. P. 2955--2961
  28. Конников С.Г., Мелебаев Д., Рудь В.Ю. // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. Вып. 13. С. 47--54
  29. Бедный В.И. // ФТП. 1999. Т. 33. Вып. 10. С. 1350--1354
  30. Дмитрук Н.Л., Борковская О.Ю., Конакова Р.В., Мамонтов И.Б., Мамыкин С.В., Войциховский Д.И. // ЖТФ. 2002. Т. 72. Вып. 6. С. 44--49
  31. Мелебаев Д., Мелебаева Г.Д., Рудь Ю.В., Рудь В.Ю. // Тр. VII Междунар. научн.-практич. конф. "СИЭТ-2006". Одесса, 2006. С. 165

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme