Электрические свойства и фоточувствительность гетероструктур, полученных термическим разложением водного раствора нитрата галлия на поверхности скола селенида индия (0001)
Драпак С.И., Юрценюк Н.С., Ковалюк З.Д.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Email: drapak@unicom.cv.ua
Поступила в редакцию: 4 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2009 г.
Показана принципиальная возможность использования метода термического разложения водного раствора нитрата галлия в воздушной атмосфере на поверхности полупроводниковой подложки для изготовления структур, чувствительных в ближней УФ-области спектрального дипазаона. Представлены результаты исследования электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур Ga2O3-n- (p-)InSe. Обнаружено, что возникновение высокоомного слоя на границе раздела InSe-Ga2O3 оказывает влияние не только на электрические свойства, но и на спектральное распределение фоточувствительности исследуемых гетероструктур. Сделано предположение о том, что токовая нестабильность с Z- и N-образными обратными ветвями вольт-амперных характеристик структур Ga2O3-p-InSe является следствием неоднородности распределения легирующей примеси в объеме квазидвумерного селенида индия p-типа проводимости. PACS: 73.40.Lq, 78.66.-w
- Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А. // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 9. С. 1025--1055
- Savchyn V.P., Kytsai V.B. // Thin Solid Films. 2000. Vol. 361--362. N 1--2. P. 123--125
- Hariu T., Sasaki S., Adachi H., Shibata Y. // Jpn. J. Appl. Phys. 1977. Vol. 16. N 5. P. 841--842
- Tippins H.H. // Phys. Rev. 1965. Vol. 140. N 1A. P. A316--A319
- Lorenz M.R., Woods J.F., Gambino R.J. // J. Phys. Chem. Solids. 1967. Vol. 28. N 3. P. 403--404
- Orita M., Hiramatsu H., Ohta H., Hirano M., Hosono H. // Thin Solid Films. 2002. Vol. 411. N 1. P. 134--139
- Martinez-Pastor J., Segura A., Valdes J.L., Chevy A. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 62. N 4. P. 1477--1483
- Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices. N Y: Willey-Intersci, 1981. 456 p
- Лебедев А.А., Лебедев А.А., Давыдов Д.В. // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 1. С. 113--116
- Драпак С.И., Гаврилюк С.В., Ковалюк З.Д., Литвин О.С. // ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 4. С.423--430
- Драпак С.И., Ковалюк З.Д. // ЖТФ. 2007. Т. 77. Вып. 9. С. 76--80
- Ламперт Г., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. 416 с
- Pupysheva O.V., Dmitriev A.V., Ferajian A.A., Mizuseki H., Kowazoe Y. // J. Appl. Phys. 2006. Vol. 100. N 3. P. 033 718-1--033 718-9
- Pupysheva O.V., Dmitriev A.V. // Physica E. 2003. Vol. 18. N 1--3. P. 290--291
- Драпак С.И., Ковалюк З.Д. // Физ. хим. тв. тела. 2004. Т. 5. Вып. 2. С. 292--298
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
