Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2009, выпуск 6 » Статья стр. 141
<<<>>>
Влияние магнитного поля на скорость травления диоксида кремния в CF4+O2 плазме
Снитовский Ю.П.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Email: kanc@gw.bsuir.unibel.by
Поступила в редакцию: 2 июня 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.
PDF версия
Обнаружен эффект сильного влияния приэлектродного неоднородного магнитного поля, скрещенного с электрическим полем, на скорость травления диоксида кремния на подложках из стекла в CF4+O2 плазме, когда ларморовская частота (~109 s-1) намного больше частоты столкновений электрона с окружающими его частицами плазмы (~106 s-1) и частоты приложенного электрического ВЧ-поля (~107 s-1). Удержание электронов магнитным полем в непосредственной близости к обрабатываемой поверхности подложки повышает скорость генерации химически активных частиц, что приводит к увеличению скорости травления диоксида кремния. PACS: 52.77.Bn, 52.40.Hf
  1. Ивановский Г.Ф. Ионно-плазменная обработка материалов. М.: Радио и связь, 1986. 232 с
  2. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. М.: Энергоатомиздат, 1987. 262 с
  3. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. М.: Высш. шк., 1987. 376 с
  4. Орликовский А.А. // Микроэлектроника. 1999. Т. 28. N 6. С. 415--426
  5. Орликовский А.А. // Микроэлектроника. 1999. Т. 28. N 5. С. 344--362
  6. Казанский Н.Л., Колпаков В.А., Колпаков А.И. // Микроэлектроника. 2004. Т. 33. N 3. С. 209--224
  7. Ohmi T., Shibata T. // Microelectronic Engineering. 1991. Vol. 10. N 3--4. P. 177--196
  8. Данилюк А.Л., Снитовский Ю.П. // Микроэлектроника. 2001. Т. 30. N 4. С. 305--311
  9. Снитовский Ю.П., Сенько А.Ф. // Микроэлектроника. 2001. Т. 30. N 5. С. 390--394
  10. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел. Сб. статей 1986-1987 гг. / Пер. с англ; сост. Е.С. Машкова. М.: Мир, 1989. 349 с
  11. Зельдович Я.Б., Бучаченко А.Л., Франкевич Е.Л. // УФН. 1988. Т. 155. Вып. 1. С. 3--45
  12. Байцар А.С., Яцишин Б.П. // Тез. докл. IV Всесоюз. симп. Сумы, 1985. С. 16--17
  13. Фролов А.И., Крупкин П.Л., Козейкин Б.В., Ошурина Л.А. // Тез. докл. IV Всесоюз. симп. Сумы, 1985. С. 17--18
  14. Заико А.Ф., Готлиб С.О., Снитовский Ю.П. // Весцi АН БССР. Сер. Фiз.-тэхнiч. навук. 1989. N 2. С. 90--92
  15. Готлиб С.О., Заико А.Ф., Снитовский Ю.П. // Электрон. техника. Сер. 6. Материалы. 1987. Вып. 1. С. 49--53
  16. Райзер Ю.П. Физика газового разряда. М.: Наука, 1992. 536 с
  17. Данилин Б.С., Киреев В.Ю., Врублевский Э.М. // Электрон. техника. Сер. 6. Материалы. 1983. Вып. 9(182). С. 3--16.
  18. Данилин Б.С. // Электрон. техника. Сер. 6. Материалы. 1983. Вып. 6. С. 65--73
  19. Кельман В.М., Явор С.Я. Электронная оптика. Л.: Наука, 1968. 488 с
  20. Синайский В.М., Сиденко В.И. // ПТЭ. 1974. N 6. С. 5--13

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme