Впервые показано, что электрон-электронное рассеяние медленных электронов с энергией 10-50 eV на поверхности ряда металлов является в основном актом бинарного рассеяния частиц с сохранением полного импульса и энергии, в то время как аналогичное рассеяние на поверхности полупроводника (n-Si) и диэлектрика (MgO) является многочастичным актом. Предложена модель, в которой электронная подсистема твердого тела обладает ближним порядком. Каждый электрон находится в центре сферической ячейки и окружен ближайшими соседними электронами с координационным числом 12. Перекрытие полей зарядов приводит к возникновению почти постоянного по координате отрицательного потенциала U_c(r)~ U_c, в котором находятся сферические ячейки с центральным полем индивидуальных зарядов U(r). Величина постоянного отрицательного потенциала U_c зависит от степени электронного экранирования, которое велико в случае металлов и мало для полупроводников и диэлектриков. В металлах возможно рассеяние по бинарному механизму, т. е. рассеяние первичного электрона в центральном поле электрона металла, что обусловлено относительно небольшой величиной постоянного потенциала U_c. Электронная подсистема металла ведет себя как ферми-газ слабо взаимодействующих квазичастиц. В полупроводниках и диэлектриках электронное экранирование незначительно и постоянный отрицательный потенциал U_c на порядок величины превышает аналогичный потенциал в металлах. Медленные первичные электроны рассеиваются в суммарном поле многих зарядов, не достигая центрального поля индивидуального электрона. Электронная подсистема полупроводника и диэлектрика в исследованном интервале возбуждений ведет себя как ансамбль сильно взаимодействующих частиц. PACS: 79.20.Kz, 68.49.Jk, 72.10.-d, 71.10.Li

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.