Эффект объемной модификации полимеров в направленном потоке низкотемпературной плазмы
Казанский Н.Л.1, Колпаков В.А.1
1Самарский государственный аэрокосмический университет им. акад. С.П. Королева, Самара, Россия
Email: kolpakov@ssau.ru
Поступила в редакцию: 24 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.
На основе закона Томсона-Виддингтона предложен и обоснован механизм, объясняющий с единой точки зрения кинетику травления полимера и образования модифицированных слоев в плазме, генерируемой высоковольтным газовым разрядом вне межэлектродного пространства. Обнаружен эффект объемной модификации полимера, расширяющий представления о процессах, протекающих при его взаимодействии с низкотемпературной плазмой. PACS: 55.77.-j
- Моро У. Микролитография. Принципы, методы, материалы / Под ред. Р.Х. Тимерова. М.: Мир, 1990. Ч. 1. 605 с. Moreau W.M. Semiconductor Lithography. Principles, Practices, and Materials. NY-London: Plenum Press, 1988
- Валиев К.А., Махвиладзе Т.М., Сарычев М.Е. // ДАН СССР. 1985. Т. 283. N 2. С. 366-369
- Сарычев М.Е. // Тр. ФТИАН. Т. 3. М.: Наука, 1992. С. 74-85
- Валиев К.А., Мокроусов К.Я., Орликовский А.А. // Поверхность. 1987. N 1. С. 53-57
- Орликовский А.А. // Микроэлектроника. 1999. Т. 28. N 6. С. 415-426
- Райзер Ю.П. Физика газового разряда. М.: Наука, 1987. 592 с
- Казанский Н.Л., Колпаков В.А., Колпаков А.И. // Микроэлектроника. 2004. Т. 33. N 3. С. 209-224
- Вагнер И.В., Болгов Э.И., Гракун В.Ф., Гохвельд В.Л., Кудлай В.А. // ЖТФ. 1974. Т. 44. Вып. 8. С. 1669-1674
- Комов А.Н., Колпаков А.И., Бондарева Н.И., Захаренко В.В. // Приборы и техника эксперимента. 1984. N 5. С. 218-220
- Колпаков В.А., Колпаков А.И., Кричевский С.В. // Электронная промышленность. 1996. N 2. С. 41-44
- Колпаков В.А. // ФХОМ. 2006. N 5. С. 41-48
- Колпаков В.А., Колпаков А.И. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 15. С. 58-65
- Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Ионно-плазменная обработка материалов. М.: Радио и связь, 1986. 232 с
- Рыкалин Н.Н., Зуев И.В., Углов А.А. Основы электронно-лучевой обработки материалов. М.: Машиностроение, 1978. 222 с
- Попов В.К. // ФХОМ. 1967. N 4. С. 11-24
- Бартенев Г.М., Бартенева А.Г. Релаксационные свойства полимеров. М.: Химия, 1992. 384 с
- Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников / Под ред. И.П. Звягина. М.: Мир, 1990. 488 с. (Bechstedt F., Enderlein R. Semiconductor Surfaces and Interfaces. Berlin: Akademie-Verlag, 1988)
- Колпаков В.А. // Микроэлектроника. 2002. Т. 31. N 6. С. 431-440
- Колпаков В.А. Формирование оптического микрорельефа на диоксиде кремния в плазме газового разряда высоковольтного типа. Дис. ... канд. физ. мат. наук. Самара: СГАУ, ИСОИ РАН, 2004. 126 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук