Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Разрядные и эмиссионные характеристики плазменного источника электронов на основе разряда в скрещенных Ex H полях с различным материалом катода
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь 
Email: dmgolosov@mail.ru
Поступила в редакцию: 8 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.
Разработан и исследован плазменный источник электронов (ПИЭЛ) на основе разряда в скрещенных Ex H полях. Рабочий газ подается в квазизамкнутую разрядную камеру ПИЭЛ, в которой реализованы условия для эффективной ионизации рабочего газа в осевом магнитном поле. Для формирования потока электронов используется положительно смещенный дополнительный электрод или пространственный заряд ионного источника. Получены зависимости вольт-амперных и эмиссионных характеристик плазменного источника электронов для различных комбинаций материала катода (медь, титан и графит) и рабочего газа (Ar и He). Установлено, что разряд ПИЭЛ устойчиво существует при использовании в качестве материала катода Cu и Ti и потоке рабочего газа 2-20 ml/min для Ar и 6-60 ml/min - для He. Эффективность извлечения электронов данного типа ПИЭЛ достигала единицы при потоке Ar более 6 ml/min для Cu - катодной вставки и более 8 ml/min для Ti катодной вставки. Энергетическая эффективность при потоке рабочего газа Ar более 10 ml/min составила 4 mA/W для Ti-катода и 2.56 mA/W - для Cu-катода. Установлена низкая эффективность данного типа ПИЭЛ при использовании He в качестве рабочего газа. Установлено, что соответствующий выбор пары рабочий газ - материал катода, обеспечивающей более высокие значения коэффициента распыления, позволяет повысить эффективность ПИЭЛ. PACS: 52.80.Sm, 29.25.Bx
- Маишев Ю.П. // Микроэлектроника. 1977. N 3. С. 31--36
- Kaufman H.R. Advances in Electronics and Electron Physics / Ed. by L. Marton. NY: Academic Press, 1974. Vol. 36. P. 265
- Rehn L.R. // NASA Report. 1976. CR 135102
- Жирков И.С., Бурдовицин В.А., Окс Е.М., Осипов И.В. // ЖТФ. 2006. Т. 76. Вып. 10. С. 128--131
- Reader P.D., White D.R., Isaacson G.C. // J. Vac. Sci. Techn. 1978. Vol. 15. N 3. P. 1093--1095
- Голосов Д.А., Свадковский И.В., Завадский С.М. // Электронная обработка материалов. 2002. N 6. С. 66--74
- Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966. 564 с
- Голант В.Е., Жилинский А.П., Сахаров И.Е. Основы физики плазмы. М.: Атомиздат, 1977. 384 с
- Одиноков В.В. Шлюзовые системы в вакуумном оборудовании. М.: Высш. шк., 1981. 55 с
- Cobine J.D. Gaseous Conductors. NY: Dover, 1958. 355 p
- Райзер Ю.П. Физика газового разряда. М.: Наука, 1987. 592 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
