На основе физико-математической модели, учитывающей влияние объемного заряда, исследован процесс обрыва тока высокой плотности в структуре SOS-диода. Установлено, что при глубине залегания p-n-перехода более 180 mum, времени прямой накачки менее 60 ns и времени обратной накачки менее 20 ns реализуется субнаносекундный обрыв тока плотностью в единицы kA/cm². Механизм обусловлен возникновением на стадии обрыва тока трех областей сильного поля: двух расширяющихся со скоростью, близкой к насыщенной, расположенных в p-области и одной, медленно расширяющейся, в n-области структуры. Показано, что учет объемного заряда снижает роль процессов лавинного размножения и, как следствие, обеспечивает более высокие коммутационные характеристики диода. Установлено, что для реализации субнаносекундного обрыва тока необходимо одновременное выполнение совокупности условий по параметрам электрической схемы, определяющим продолжительность и плотность тока накачки, и профилю легирования полупроводниковой структуры. Полученные результаты сравниваются с экспериментом и моделью, использующей квазинейтральное приближение. PACS: 84.30.Jc, 85.30-z, 85.30.Kk

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.