Особенности импульсного лазерного осаждения тонкопленочных покрытий с применением противокапельного экрана
Неволин В.Н.1, Фоминский В.Ю.1, Гнедовец А.Г.1, Романов Р.И.1
1Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
Email: vyfominskij@mephi.ru
Поступила в редакцию: 12 января 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.
Исследованы особенности формирования тонкопленочных покрытий из диселенида молибдена при осаждении лазерно-инициированного потока вещества, на пути разлета которого от мишени к подложке установлен экран, задерживающий капельную фракцию. Для повышения эффективности рассеяния атомов в теневую область (за экран) осаждение проводилось в инертном газе - аргоне. Установлено, что при повышении давления аргона до 2 Pa в теневой области формировались неплотные покрытия с развитым рельефом. Приложение к подложке отрицательного электростатического потенциала позволяло существенно улучшить качество покрытий. Для выяснения факторов, оказывающих влияние на толщину, химический состав и структуру покрытий MoSex в теневой области, проведены численные эксперименты на основе объединения двух компьютерных моделей, описывающих физические процессы на атомистическом уровне методами Монте-Карло. Результаты расчета динамики лазерно-инициированного потока атомов в камере с экраном применялись при последующем моделировании роста покрытий. Показано, что осаждение рассеянного потока атомов в условиях бомбардировки поверхности падающими частицами могло обусловливать существенное повышение плотности покрытий и сглаживание рельефа поверхности. PACS: 68.55.at, 52.38.Mf, 62.20.Qp
- Fominski V.Yu., Nevolin V.N., Romanov R.I. et al. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 89. N 2. P. 1449-1457
- Fominski V.Yu., Nevolin V.N., Romanov R.I. et al. // Tribology Letters. 2004. Vol. 17. N 2. P. 289-294
- Fominski V.Yu., Romanov R.I., Gusarov A.V. et al. // Surface and Coating Technology. 2007. Vol. 201. P. 7813-7821
- Walck S.D., Zabinski J.S., Donley M.S. et al. // Surface and Coatings Technology. 1993. Vol. 62. P. 412-416
- Shtansky D.V., Lobova T.A., Fominski V.Yu. et al. // Surface and Coatings Technology. 2004. Vol. 183. P. 328-336
- Неволин В.Н., Фоминский В.Ю., Гнедовец А.Г. и др. // ЖТФ. 2009. Вып. 1. С. 118-124
- Gnedovets A.G., Gusarov A.V., Smurov I. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1999. Vol. 32. N 17. P. 2162-2168
- Itina T.E., Marine W., Autric M. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 82. N 7. P. 3536-3542
- Morozov A.A., Geretovszky Z., Szorenyi T. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2008. Vol. 41. P. 015 303
- Krasa J., Lorusso A., Doria D. et al. // Plasma Phys. Control. Fusion. 2005. Vol. 47. P. 1339-1349
- Bird G.A. Molecular Gas Dynamics and the Direct Simulation of Gas Flows. Clarendon Press. Oxford, 1994
- Bogaerts A., van Straaten M., Gijbels R. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 77. P. 1868-1874
- Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. М.: Мир, 1973. 296 с
- Karabacak T., Wang G.-C., Lu T.-M. // J. Appl. Phys. 2003. Vol. 94. N 12. P. 7723-7727
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
