Интеркалатные структуры с delta-топологической зоной чередующихся полупроводников и магнитоактивных нанослоев и их импедансное поведение в магнитном и электрическом поле
Покладок Н.Т., Григорчак И.И., Бужук Я.М.1
1Львовский национальный университет им. Ивана Франка, Львов, Украина
Поступила в редакцию: 12 января 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.
Лазерно-стимулированным методом сформированы гибридные наноструктуры delta-топологической конфигурации на основе слоистого полупроводника InSe с внедренным в области ван-дер-ваальсовых связей его кристаллической структуры хромом (delta-ТНИС). В таких структурах реализуется гигантский магниторезистивный эффект при комнатных температурах и слабых магнитных полях. В сформированных структурах проявляется сильная магнитофазовая чувствительность и достигается высокочастотный индуктивный отклик, управляемый постоянным электрическим полем, приложенным перпендикулярно нанослоям.
- Гусев А.И. // УФН. 1998. Т. 168. N 1. С. 55-83
- Wolf E.L. Nanophysics and Nanotechnology. Weinheim-WILEY-VCH Verlag GmbH \& Co KGaA, 2004. 174 p
- Покропивний В.В., Поперенко Л.В. Фiзика наноструктур. Киiв: видавничополiграфiчний центр "Киiвський унiверситет", 2008. 220 с
- Пул Ч., Оуэнс Ф. Нанотехнологии. М.: Техносфера, 2004. 328 с
- Шпак А.П., Куницкий Ю.А., Карбовский В.Л. Кластерные и наноструктурированные материалы. Киев: Академпериодика, 2001. 587 с
- Суздалев И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. Сер. "Синергетика --- от прошлого к будущему". М., 2006. 592 с
- Shevchenko D.V., Petrusenko S.R., Kokozay V.N., and Skelton D.W. // Book of Abstracts. American Crystallographic Association 2004 Ann. Meet. Chicago, USA, 2004. P. 126
- Murday J.S. // Amptiak Newsletter. 2002. Vol. 6. N 1. P. 5-10
- McKinnon W.R., Haering R.R. // Mod. Aspects of Electrochemistry. NY. 1983. N 15. P. 235-261
- Григорчак I.I. // Фiзика i хiмiя твердого тiла. 2001. Т. 2. N 1. С. 7-55
- Черныш И.П., Карпов И.И., Приходько Г.П., Шай В.М. Физико-химические свойства графита и его соединений // Киев: Наукова думка, 1990. 200 с
- Войтович С.А., Григорчак I.I., Аксiментьева О.I. // Вiсник нацiонального унiверситету "Львiька полiтехнiка". Електронiка. 2006. N 558. С. 53-58
- Safran S.A. // Solid State Physics: Adv. Res. and Appl. 1987. Vol. 40. P. 246-312
- Lies R.M.A. // Preparation and cryst. growth material with layered structure. Dordrecht-Boston, 1977. P. 225-254
- Kuhn A., Chevy A., Chevalier R. // Phys. Status Sol. 1975. Vol. A31. P. 469-475
- Whittingham M.S. // Progress in Solid State Chemistry. 1978. N 12. P. 41-99
- Gregg J.F., Petej I., Jouguelet E., Dennis C. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2002. Vol. 35. P. R 121-R 125
- Mora-Sero I., Bisquert J. // Nano Letters. 2006. Vol. 6. N 4. P. 640-650
- Bisquert J., Randriamahazaka H., Garsia-Belmonte G. // Electrochimica Acta. 2005. Vol. 51. P. 627-640
- Крымский А.И., Попов Л.К. // Микроэлектроника. 1990. Т. 19. Вып. 4. С. 328-334
- Болтаев А.П., Бурбаев Т.М., Сибельдин Н.Н. // Изв. РАН. 1999. Т. 63. N 2. С. 312-316
- Болтаев А.П., Бурбаев Т.М. и др. // Микроэлектроника. 1995. Т. 24. N 4. С. 291-294
- Пенин Н.А. // ФТП. 1996. Т. 30. Вып. 4
- Синица С.П. // Радиотехника и электроника. 1962. N 8
- Вест А. Химия твердого тела. Ч. 2. М.: Мир, 1988. 336 с
- Жуковский П.В., Партыка Я., Венгерэк П., Шостак Ю., Сидоренко Ю., Родзик А. // ФТП. 2000. Т. 34. N 10. С. 1174-1177
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук