Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффект электрического переключения с памятью в гидратированном аморфном диоксиде ванадия

Путролайнен В.В.¹, Борисков П.П.¹, Величко А.А.¹, Пергамент А.Л.¹, Кулдин Н.А.¹

¹Петрозаводский государственный университет, Петрозаводск, Россия Petrozavodsk State University, Petrozavodsk, Russia

Email: boriskov@psu.karelia.ru

Поступила в редакцию: 1 апреля 2009 г.

Выставление онлайн: 20 января 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проанализируем экспериментальные данные по эффекту электрического переключения с памятью в МОМ-структуре на основе гидратированной двуокиси ванадия, полученной методом анодно-катодной поляризации. Предложенная модель, предполагающая ключевую роль ионного тока в механизме переключения, определяет основные критические параметры материала, влияющие на формирование эффекта: концентрацию и подвижность ионов примеси. Полученная при моделировании эффекта переключения полевая зависимость подвижности ионов интерпретируется в рамках прыжкового механизма переноса по теории протекания.

Chopra K.L. // J. Appl. Phys. 1965. Vol. 36. P. 184
Tsunodaa K., Jameson J.R., Wang Z., Griffin P.B., Nishi Y. // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 90. P. 112 501
Seo S., Lee M.J., Seo D.H. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 85. P. 5655
Kinoshita K., Tamura T., Aoki M., Sugiyama Y., Tanaka H. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 89. P. 103 509
Пергамент А.Л., Стефанович Г.Б., Чудновский Ф.А. // ФТТ. 1994. Т. 36. С. 2988
Pergament A., Velichko A., Putrolaynen V., Stefanovich G., Kuldin N., Cheremisin A., Feklistov I., and Khomlyuk N.J. // Phys. D: Appl. Phys. 2008. Vol. 41. P. 225 306
Мотт Н.Ф., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. С. 663
Корзо В.Ф., Черняев В.Н. Диэлектрические пленки в микроэлектронике. М.: Энергия, 1977. 368 с
Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. М.: Наука, 1964. 488 с
Физико-химические свойства окислов. Справочник / Под ред. Г.В. Самсонова. М.: Металлургия, 1978. 472 с
Zuli L., Guojia F., Youqing W., Yandong B., and Kai-Lun Y. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. Vol. 33. P. 2327
Ord J.L., Bishop S.D., and De Smet D.J. // J. Electrochem. Soc. 1991. Vol. 138. P. 208
Шкловский Б.И. // ФТП. 1979. Т. 13. С. 93
Аронзон Б.А., Ковалев Д.Ю., Рыльков В.В. // ФТП. 2005. Т. 39. С. 844

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель