Туннельно-рекомбинационные токи в неидеальных гетероструктурах InGaAsP/InP
Карачевцева М.В.1, Страхов В.А.1, Яременко Н.Г.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 26 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.
В диапазоне температур 77/350 K исследованы вольт-амперные характеристики неидеальных гетероструктур InGaAsP/InP. Наблюдаемые особенности объяснены в рамках модели туннельно-рекомбинационных токов, учитывающей перезарядку поверхностных состояний на гетерогранице с изменением напряжения и температуры. Оценена плотность поверхностных состояний и получены параметры зонной диаграммы.
- А.Я. Шик, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 15, 1385 (1981)
- А.Я. Шик. ФТП, 17, 1295 (1983)
- М.В. Карачевцева, В.А. Страхов, Н.Г. Яременко. ФТП, \bf 22, 1936 (1988)
- А.Т. Гореленок, В.Г. Груздов, В.В. Евстропов, В.Г. Сидоров, И.С. Тарасов, Л.М. Федоров. ФТП, \bf 18, 1034 (1984)
- А.Т. Гореленок, В.Г. Груздов, В.В. Евстропов, В.Г. Сидоров, И.С. Тарасов, Л.М. Федоров. ФТП, \bf 18, 1413 (1984)
- В.А. Страхов, Н.Г. Яременко, А.А. Телегин, В.А. Оганджанян, М.В. Карачевцева, Л.Ф. Михалева, В.И. Петров, В.А. Прохоров. ФТП, \bf 19, 601 (1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук