"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Интерфейсная люминесценция GaAs/GaAlAs-структур: связь с условиями формирования гетерограницы
Бессолов В.Н.1, Евстропов В.В.1, Лебедев М.В.1, Россин В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.

Изучалась фотолюминесценция одиночных гетероструктур GaAs/GaAlAs в зависимости от условий формирования гетерограницы (температуры эпитаксии, концентрации доноров в GaAs, движущей силы кристаллизации). В спектрах фотолюминесценции наряду с полосами объемной люминесценции GaAS и GaAlAs присутствует полоса, обусловленная наличием гетерограницы (полоса интерфейсной люминесценции). Показано, что существование интерфейсной люминесценции пороговым образом зависит от температуры формирования гетерограницы: интерфейсная люминесценция появляется, если температура выше некоторой TF cr, и исчезает, если ниже. При этом пороговая температура TF cr уменьшается с уменьшением движущей силы кристаллизации при формировании гетерограницы и зависит от совершенства узкозонной области (GaAs) гетероструктуры. Пороговый характер возникновения и исчезновения интерфейсной люминесценции объясняется с помощью двух модельных представлений. Во-первых, предполагается, что интерфейснаая люминесценция обусловлена аннигиляцией интерфейсного экситона, образованного двумерным электроном на гетерогранице и трехмерной дыркой, и, во-вторых, предполагается, что смена механизмов формирования гетерограницы при фазовом переходе огрубления поверхности подложки приводит к скачкообразному уменьшению неоднородностей в плоскости гетерограницы, что способствует образованию интерфейсного экситона.
  • Y.R. Yuan, K. Mohammed, M.A. Pudensi, J.L. Merz. Appl. Phys. Lett., \bf 45, 739 (1984)
  • V. Kukushkin, K.V. Klitzing, K. Ploog. Phys. Rev. B, \bf 37, 8509 (1988)
  • Г.Т. Айтиева, В.Н. Бессолов, А.С. Волков, В.В. Евстропов, К.В. Киселев, Г.Г. Кочиев, А.Л. Липко, Б.В. Царенков. ФТП, \bf 20, 1313 (1986)
  • А.М. Васильев, П.С. Копьев, В.П. Кочерешко, Н.Н. Леденцов, Б.Я. Мельцер, И.Н. Уральцев, В.М. Устинов, Д.В. Яковлев. ФТП, \bf 20, 353 (1986)
  • Q.X. Zhao, J.P. Bergman, P.O.Holtz, B. Monemar, C. Hallin, M. Sundaram, J.L. Merz, A.С. Gossard. Semicond. Sci. Techn., \bf 5, 884 (1990)
  • J.L. Bradshaw, W.J. Choyke, R.P. Devaty, R.L. Messham. J. Luminesc., \bf 47, 249 (1991)
  • P.W. Yu, C.K. Peng, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett., \bf 54, 1546 (1989)
  • J.A. Chen, C.K. Wang, H.H. Lin, W.S. Wang, S.C. Lee. J. Appl. Phys., \bf 68, 2140 (1990)
  • M. Tanaka, H. Sakaki, J. Yoshino. Japan. J. Appl. Phys., \bf 25, L155 (1986)
  • U. Morlock, H.J. Queisser. Phil. Mag. A, 64, 165 (1991)
  • В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. Письма ЖТФ, 17(7), 17 (1991)
  • В.А. Киселев, Б.В. Новиков, Е.А. Убушиев, С.С. Утнасунов, А.Е. Чередниченко. Письма ЖЭТФ, \bf 43, 371 (1986)
  • Н.С. Аверкиев, Г.Е. Пикус. ФТП, 21, 1493 (1987)
  • T. Nishinaga, K. Mochizuki, H. Yoshinaga, C. Sasaoka, M. Washiyama. J. Cryst. Growth, \bf 98, 98 (1989)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.