"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние фотовозбуждения на эффективность дефектообразования при электронном облучении кремния
Болдырев С.Н.1, Мордкович В.Н.1, Омельяновская Н.М.1, Феклисова О.В.1, Ярыкин Н.А.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов Российской Академии наук,, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 22 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.

Обнаружено, что дополнительная подсветка во время облучения кремния электронами с энергией 4 МэВ приводит к существенному уменьшению концентрации стабильных вакансионных комплексов, причем влияние фотовозбуждения может распространяться на сотни мкм от освещаемой поверхности. Изменение зарядового состояния подвижных точечных дефектов и кинетики дефектных реакций вследствие избыточной концентрации неосновных носителей заряда рассматриваются как наиболее вероятная причина обнаруженного эффекта.
  • В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. \it Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1981)
  • Т.В. Машовец. Чтения памяти А.Ф. Иоффе (М., Наука, 1986)
  • М.К. Шейнкман. Письма ЖТФ, 9, 278 (1982)
  • Ю.Н. Ерохин, А.Г. Итальянцев, В.Н. Мордкович. Письма ЖТФ, \bf 14, 835 (1988)
  • А.Б. Данилин, Ю.Н. Ерохин, В.Н. Мордкович. Письма ЖТФ, \bf 15, 1 (1989)
  • A.B. Danilin, Yu.N. Erokhin, V.N. Mordkovich. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., \bf B59/60, 985 (1991)
  • A.B. Danilin, Yu.N. Erokhin, V.N. Mordkovich, N. Hatzopoulos, P.L.F. Hemment. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., \bf B69, 268 (1992)
  • O.O. Awadelkarim, H. Weman, B.G. Svensson, J.L. Lindstrom. J. Appl. Phys., \bf 60, 1974 (1986)
  • B.G. Svensson, B.M. Larsson, K.-H. Ryden. Mater. Sci. Forum, \bf 38--41, 1211 (1989)
  • О.В. Бобрикова, В.Ф. Стась, Н.Н. Герасименко. ФТП, \bf 22, 1838 (1989)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.