Дефекты в p-Si, облученном при 77 K: энергетический спектр и кинетика отжига
Абдуллин Х.А.1, Мукашев В.Н.1
1Физико-технический институт Академии наук Казахстана,, Алматы, Казахстан
Поступила в редакцию: 1 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.
Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследованы спектры радиационных дефектов в кремнии p-типа проводимости, облученного электронами (~ 4 МэВ), протонами (~ 30 МэВ), либо alpha-частицами (~ 4 МэВ) при температуре 77 K. Обнаружено существенное влияние вида и условий облучения на спектры DLTS. При электронном облучении основными дефектами являются вакансии (H1: Ev+0.13 эВ) и межузельные атомы углерода (H3: Ev+0.29 эВ), при протонном и alpha-облучении - дефекты с уровнями H4: Ev+0.20 эВ и Ec-0.39 эВ. Полоса H4 имеет значительную полуширину и сложную кинетику отжига. Четко выделена стадия отжига, подчиняющаяся кинетике 2 порядка, а при отжиге примерно (60-80)% дефектов кинетика полосы H4 становится близкой к 3 порядку. Инжекция неосновных носителей при 77 K вызывает быстрый отжиг дефектов H4. Наблюдалось появление дополнительных линий в спектрах DLTS при облучении образцов под обратным напряжением смещения. Получены дополнительные данные о собственном межузельном центре E1. Обнаружено, что инжекционный отжиг E1 при 77 K в образцах Чохральского вызывает появление, помимо центров H3 ( Ci), дефектов H7: Ev+0.13 эВ, которые идентифицированы как кислородсодержащие межузельные центры. Эти центры метастабильны и обратимо отжигаются, превращаясь в дефекты E1 при повышении температуры до ~ 200 K.
- G.D. Watkins, In: \it Radiation Damage in Semiconductors, ed. by P. Baruch (Dunod, Paris, 1964) p. 97
- G.D. Watkins. Inst. Phys. Conf. Ser., N 23, 1 (1975)
- G.D. Watkins, J.R. Troxell, A.P. Chatterjii. Inst. Phys. Conf. Ser., N 46, 16 (1978)
- Y. Bar-Yam, J.D. Joannopoulos. Phys. Rev. B, \bf 30, 2216 (1984)
- V.V. Emtsev, T.V. Mashovets, V.V. Mikhnovich, N.A. Vitovskii. Rad. Eff. Def. Sol., \bf 111--112, 99 (1989)
- В.В. Емцев, Т.В. Машовец, В.В. Михнович. ФТП, 26, 22 (1992)
- J.C. Bourgoin, W. Corbett. Phys. Lett. A, 38, 135 (1972)
- Ж. Бургуэн, М. Ланно. \it Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты (М., Мир, 1985)
- G.D. Watkins, J.R. Troxell, A.P. Chatterjee, R.D. Harrist, \it Int. Conf. on Radiation Physics of Semiconductors and Related Materials (Tbilici, 1979) p. 97
- R.D. Harris, G.D. Watkins. \it Proc. 13th Int. Conf. Defects in Semiconductors (Warrendale, PA, 1989) p. 799
- В.И. Губская, П.В. Кучинский, В.М. Ломако. ФТП, \bf 20, 1055 (1986)
- Kh.A. Abdullin, B.N. Mukashev, M.F. Tamendarov, T.B. Tashenov. Phys. Lett. A, \bf 144, 198 (1990)
- Х.А. Абдуллин, Б.Н. Мукашев, М.Ф. Тамендаров, Т.Б. Ташенов. Письма ЖТФ, \bf 18, 71 (1991)
- Х.А. Абдуллин, Б.Н. Мукашев, М.Ф. Тамендаров. ФТП, \bf 25, 684 (1991)
- Kh.A. Abdullin, B.N. Mukashev, M.F. Tamendarov, T.B. Tashenov. Phys. Lett. A, \bf 166, 40 (1992)
- Е.В. Чихрай, Х.А. Абдуллин. ФТП, 25, 751 (1991)
- L.C. Kimerling, P. Blood, W.M. Gibson. Inst. Phys. Conf. Ser., N 46, 273 (1978)
- L.C. Kimerling, M.J. Asom, J.L. Benton, P.J. Drevinsky, C.E. Caefer. Mater. Sci. Forum, \bf 38--41, 141 (1989)
- Дж. Динс, Дж. Винйард.\it Радиационные эффекты в твердых телах (М., 1960)
- T.R. Waire. Phys. Rev. B, 107, 463 (1957)
- D. Peak, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 5, 1226 (1972)
- A. Brelot, J. Charlemagne. Rad. Eff., 8, 161 (1971)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук