"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффект сегрегации ртути при импульсном лазерном отжиге Cd xHg 1- xTe
Кузьма М.1, Поцяск М.1, Шерегий Е.1, Кемпник В.1, Фарина М.1, Цях Р.1
1Институт физики Высшей педагогической школы, 35--310 Жешув, Польша
Поступила в редакцию: 4 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.

Получено непосредственное экспериментальное подтверждение образования резкого максимума концентрации ртути на малой (0.2 мкм) глубине от облучаемой повехности под воздействием многократного импульсного отжига кристаллов CdxHg1-xTe (x=0.2) излучением лазера YAG : Nd3+.
  • C.N. Afonso, M. Alonso, J.L.H. Neira et al. J. Vac. Sci. Technol., A7, 3256 (1989)
  • П.В. Голошинин, К.Е. Миронов, А.Я. Поляков. Поверхность. Физика, химия, механика, N 12, 12 (1991)
  • Г.Г. Громов, С.В. Серегин, С.В. Жук, В.Б. Уфимцев. Физика и химия обраб. материалов, N 4, 19 (1990)
  • M. Kuzma, C. Abeynayake, E. Sheregii, I. Virt. Acta Phys. Polon. A, 8C, 475 (1991)
  • И.С. Вирт, М. Кузьма, Е.М. Шерегий, П.С. Шкумбатюк. ФТП, 26, 562 (1992)
  • А. Валь, М. Кузьма, М. Поцяск, Е.М. Шерегий. ФТП, 27, 622 (1993)
  • G. Schottky. Phys. St. Sol. (b), 8, 357 (1965)
  • M. Wautelet, P. Quenon, C. Antoniadis, L.D. Laude. Semicond. Sci. Technol., 2, 453 (1987)
  • В.И. Фикс. \it Ионная проводимость в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1969)
  • В.П. Воронков, Г.А. Гурченок. ФТП, 24, 1831 (1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.