Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сульфидная пассивация поверхности GaAs: открепление уровня Ферми
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 26 сентября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.
Показано, что модифицированная сульфидная обработка поверхности n-GaAs (100), включающая химическую обработку в растворе Na2S·9H2O и отжиг в вакууме при температуре 250/300oC приводит к откреплению поверхностного уровня Ферми. Эффект открепления проявляется в значительном уменьшении плотности поверхностных состояний и приповерхностного изгиба зон. Экспериментальные результаты объясняются формированием упорядоченного покровного сульфидного слоя, в котором адатомы серы замещают атомы мышьяка и образуют химические связи с атомами галлия.
- Арсенид галлия в микроэлектронике (М., 1988)
- R.S. Besser, C.R. Helms. Appl. Phys. Lett., 52, 1707 (1988)
- W.E. Spicer, N. Newman, C.J. Spindt, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber. J. Vac. Sci. Techn. A., 8, 2084 (1990)
- J.A. Silberman, T.J. de Lyon, J.M. Woodall. Appl. Phys. Lett., 59, 3300 (1991)
- И.А. Карпович, Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, Б.Н. Звонков, М.В. Степихова. ФТП, 27, 1736 (1993)
- Б.И. Бедный, Е.А. Ускова. Поверхность. Физика, химия, механика, вып. 6, 85 (1994)
- Б.И. Бедный, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь. Поверхность. Физика, химия, механика, вып. 1, 94 (1991)
- Б.И. Бедный, А.Н. Калинин, И.А. Карпович, А.Н. Савинов. Деп. ВИНИТИ, N 5293-84 (1984)
- Б.И. Бедный, А.Н. Калинин, И.А. Карпович. ФТП, 17, 1302 (1983)
- В.Л. Берковиц, В.Н. Бессолов, Т.В. Львова, Е.Б. Новиков, В.И. Сафаров, Р.В. Хавиева, Б.В. Царенков. ФТП, 25, 1406 (1991)
- Б.И. Бедный. Поверхность. Физика, химия, механика, вып. 10, 58 (1993)
- T. Saiton, H. Hasegawa. \it Extended Abstracts of the Devices and Materials (Sendai, 1990), p. 155
- E. Ikeda, H. Hasegawa, S. Ohtsuka, H. Ohno. Japan. J. Appl. Phys., 27, 180 (1988)
- H. Sugahara, M. Oshima, H. Oigawa, H. Shigekawa, Y. Nannichi. J. Appl. Phys., 69, 4349 (1991)
- J. Shin, K.M. Geib, C.W. Wilmsen, Z. Liliental-Weber. J. Vac. Sci. Techn., A8, 1894 (1990)
- Y. Nannichi, H. Shigekawa, H. Oihawa, H. Hashizume, V. Oshima. \it Photon Fact. Activ. Rept. (1991) 9 [Tsukuba (1992)]
- T. Scimeca, Y. Vuramatsu, M. Oshima, H. Oigawa, Y. Nannichi. \it Photon Fact. Activ. Rept. (1991) 9 [Tsukuba (1992)]
- T. Ohno. Phys. Rev. B, 44, 6306 (1991)
- M. Oshima, T. Scimesa, Y. Watanabe, H. Oigawa, Y. Nannichi. Japan. J. Appl. Phys., 32, 518 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
