"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Туннельно-инжекционный лазер на основе разъединенного одиночного гетероперехода II типа p-GaInAsSb/ p-InAs
Моисеев К.Д.1, Михайлова М.П.1, Ершов О.Г.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

Предложен новый физический подход к созданию полупроводниковой лазерной структуры для среднего ИК диапазона, в которой используется туннельная инжекция носителей через гетерограницу II типа в разъединенном изотипном гетеропереходе p-GaInAsSb/p-InAs. Исследованы спонтанная и когерентная эмиссия в такой лазерной структуре. Была получена одномодовая генерация в импульсном режиме на длине волны lambda=3.26 мкм при плотности порогового тока Jth=2 kA/см2 (T=77 K). Пороговый ток экспоненциально зависел от температуры, Ith=I0exp (T/T0), при этом в интервале температур 77--120 K было получено высокое значение характеристической температуры T0=30-60 K.
  • М.П. Михайлова, Г.Г. Зегря, К.Д. Моисеев, И.Н. Тимченко, Ю.П. Яковлев. ФТП, 28, 687 (1994)
  • М.П. Михайлова, И.А. Андреев, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 28, 687 (1994)
  • A.N. Baranov, A.N. Imenkov, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. Appl. Phys. Lett., 64, 2480 (1994)
  • G.G. Zegrya, A.D. Andreev. Appl. Phys. Lett. 67, 2681 (1995)
  • Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 16, 592 (1982)
  • А.Б. Андаспаева, А.Н. Баранов, Г.Г. Зегря, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев, С.Г. Ястребов. ФТП, 25, 394 (1991)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.