Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Глубокие центры и электролюминесценция легированных бором 4 H-SiC p-n-структур

Лебедев А.А.¹, Полетаев Н.К.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 24 апреля 1995 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы зависимости интенсивности электролюминесценции (I_t) образцов 4H- SiC< B > от плотности прямого тока (J) и температуры (T), I_t=f(J,T), а также зависимость времени послесвечения (tau) от температуры tau=f(T). Было обнаружено, что зависимость I_t=f(T) имела максимум, положение которого с увеличением величины J смещалось в область больших температур. Величина tau с ростом температуры уменьшалась от 700 (293 K) до 3 мкс (410 K). Расчеты зависимости I_t=f(J,T), сделанные на основе ранее предложенной для 6H- SiC< B > рекомбинационной модели, находятся в хорошем согласии с экспериментом. Таким образом, можно констатировать полную аналогичность свойств глубоких центров и электролюминесценции в образцах SiC< B > политипов 6H и 4H.

Р.М. Поттер. В кн.: \it Карбид кремния, под ред. Г. Хениша, Р. Роя (М., Мир, 1972) с. 180
М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.Л, Сыркин, А.В. Суворов. ФТП, 19, 144 (1985)
М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 24, 1384 (1990)
W. Suttrop, G. Pensl, P. Laning. Appl. Phys. A, 51, 231 (1990)
М.М. Аникин, А.А. Лебедев, Н.К. Полетаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 28, 472 (1994)
M.M. Anikin, P.A. Ivanov, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin. In:\it Semiconductor and Microstructures, ed. by. Z.C. Feng (World Scientific, Singapore, 1992) p. 280
И.В. Попов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, \it 12, 240 (1985)
A.A. Lebedev, V.E. Chelnokov. Diamond and Related Mater., 3, 1393 (1994)
D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
Ю.А. Водаков, Г.А. Лоамакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.В. Семенов, В.И. Соколов. В кн.: \it Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников (Л., 1980) с. 164

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель