"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Рекомбинация и перенос заряда в поликристаллических полупроводниках при воздействии оптического излучения
Дощанов К.М.1
1Физико-технический институт Научно-производственного объединения "Физика--Солнце" Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 16 января 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

Предложена новая теория рекомбинации и переноса заряда в поликристаллических полупроводниках при воздействии на них оптического излучения. Получены соотношения, определяющие высоту межкристаллитных потенциальных барьеров (Vs), плотность рекомбинационного тока на границах зерен (jR), эффективное время жизни неосновных носителей (taup) и проводимость (sigma) в зависимости от уровня фотовозбуждения поликристалла (G). Соотношения справедливы при любых значениях Lb/d (Lb --- длина диффузии неосновных носителей в объеме зерен поликристалла, d --- размер зерен). Представлены графики зависимостей Vs, jR, taup, sigma от G и d в поликристаллическом кремнии.
  • D.P. Joshi, D.P. Bhatt. IEEE Trans. Electron. Dev., 37, 237 (1990)
  • D.P. Bhatt, D.P. Joshi. J. Appl. Phys., 68, 2338 (1990)
  • H.C. Card. J. Appl. Phys., 52, 3671 (1981)
  • B.P. Tyagi, K. Sen. Phys. St. Sol. (a). 90, 709 (1985)
  • C.Y. Lu, N.C.C. Lu. Sol. St. Electron., 26, 549 (1983)
  • M.M. Mandurah, K.C. Saraswat, C. Helms, T. Kamins. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-28, 1163 (1981)
  • К.М. Дощанов. ФТП, 28, 692 (1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.