"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние поверхностной рекомбинации на вольт-амперную характеристику p-n-перехода в сильном СВЧ поле
Гулямов Г.1
1Наманганский индустриально-технологический институт, Наманган, Узбекистан
Поступила в редакцию: 7 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

Изучено влияние поверхностной рекомбинации на токи и эдс, генерируемые в p-n-переходе в сильном СВЧ поле. Показано, что в сильном СВЧ поле скорость поверхностной рекомбинации сильно возрастает и результатом является увеличение рекомбинационного и генерационного токов. Установлено, что учет поверхностной рекомбинации приводит в тонких образцах к зависимости токов через p-n-переход в сильном СВЧ поле от толщины образца.
  • Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 22, 2001 (1988)
  • Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 26, 1041 (1992)
  • Г.Е. Пикус. \it Основы теории полупроводниковых приборов (М., 1965)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, Г.С. Калашников. \it Физика полупроводников (М., 1977)
  • А.И. Вейнгер, Л.Г. Парицкий, Э.А. Акопян, Г. Дадамирзаев. ФТП, 9, 216 (1975)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.