Исследованы спектральные характеристики фоточувствительности гетероструктур на основе n-a-Si/p-c-Si в диапазоне длин волн 500/1200 нм в зависимости от температуры предварительного нагрева подложек T_s и температуры отжига T_a. Показано, что максимум фоточувствительности с увеличением температуры предварительного нагрева подложек сдвигается в длинноволновую область спектра и при T_s=500 ^oC, T_a=200 ^oC наблюдается на длине волны lambda=1080 нм. Предложена модель энергетической диаграммы гетероструктуры n-a-Si/p-c-Si, учитывающая существование на границе раздела структуры промежуточного слоя, препятствующего образованию обедненной области в подложке c-Si. Полученные результаты указывают на перспективность использования гетероструктур n-a-Si/p-c-Si для создания датчиков инфракрасного излучения с управляемым положением максимума фоточувствительности.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.