Предлагается модель, объясняющая характерные искажения формы спектральной линии Si-детектора при регистрации тяжелых ионов. Появление группы импульсов в правой (высокоэнергетичной) области амплитудного спектра связывается с рекомбинацией неравновесного заряда. Рекомбинация происходит в приповерхностной области детекторной структуры, где перенос заряда осуществляется путем диффузии. Флуктуации амплитуды сигнала возникают вследствие участия атомов отдачи Si, которые рождают пары электрон-дырка в конкретных сечениях ''входного окна'' детектора. Непосредственно тяжелые ионы производят ионизацию по глубине равномерно, что приводит к определенным потерям заряда, но не сопровождается заметными флуктуациями.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.